去年DRAM整体产值年增76%，估今年增率将逾3成

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根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，去年第4季DRAM产业营收再创历史新高，产值季增14.2%，全年产值年增76%；从整体产值来看，DRAMeXchange预估，今年DRAM产业产值将成长超过3成，规模将达960亿美元。

DRAMeXchange 指出，从价格方面来看，受行动式记忆体接棒涨价带动，加上智慧型手机旗舰机种旺季效应，以三星为首的DRAM 厂拉抬行动式记忆体报价，带动行动式记忆体在去年第4 季有5-20% 不等的涨幅(取决于不同的容量)，其余各类DRAM 产品合约价也普遍季涨约5-10%。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，展望今年第1季，PC-OEM厂已陆续议定合约价格，就一线大厂订价来看，PC DRAM均价已来到33 美元，季平均涨幅约5%；以北美四大网路服务提供业者为首的资料中心拉货动能仍强，带动首季伺服器记忆体价格上涨3-5%；智慧型手机第1季买气较原先预期低迷，加上NAND跌价与中国发改委因素影响，行动式记忆体价格涨幅较先前收敛，平均价格小幅上涨约3%。

观察各厂去年第4季营收表现，三星稳坐DRAM产业龙头，营收101亿美元，季增14.5%，再创历史新高； SK海力士营收冲至63亿美元，季增14.1%，两大韩厂的市占率各为46.0%与28.7%，合计已囊括74.7%的市占率；美光集团维持第三，营收46亿美元，季增13.4%，市占20.8%。

受价格持续上涨及制程微缩所带来的成本效益，三星去年第4 季度营业利益率再度改写历史新高，由62% 上升至64%；SK 海力士从第3 季度的56% 提升至59%；美光则从50% 拉升至53%。展望今年第1 季，受惠于DRAM 价格持续上涨与制程转进所带来的成本效益，三大厂在营收表现上可望再创新猷，各家获利率也可望进一步提升。

从技术面来看，三星今年目标除持续提升18nm 制程产出比重外，为期近两年DRAM 涨价带动DRAM 供应商的高获利，及中国潜在竞争者的加入，让三星决定展开新一波的扩产计画，将原本规划做NAND Flash 的平泽厂二楼空间投入生产DRAM，一方面因应DRAM 供给吃紧状况，另一方面藉由减少未来NAND Flash 的投片量，来抑制NAND Flash 的跌价速度； DRAMeXchange 指出，此举对整体记忆体产业属健康发展，并非坏事。

SK 海力士去年底开始导入18nm 的生产，但进入1Xnm 世代制程难度高、转换不易，SK 海力士目前仍致力提升18nm 良率；扩厂计画则维持不变，最快要到2019 年才会在中国无锡新建的第二座12 吋厂看到产能开出。

美光的技术布局方面，台湾美光记忆体(原瑞晶) 17nm 目前产出比重已超过9 成，预计今年第2 季初将完成转换，台湾美光晶圆科技(原华亚科) 计画今年中开始进行20nm 往17nm 的转换，预计今年年底将可望有一半产能转往17nm 生产，并在明年上半年全数导入。

台系厂商部分，南亚科( 2408-TW )去年第4季营收季增26.9%，主要归功20nm转换良率超乎预期，及价格持续走扬带动。20nm的成本效益拉升营业利益率至38.9%，较前一季成长7个百分点。展望未来，由于20nm良率继续提升，将会持续改善成本结构，增加获利空间。

力晶去年第4季DRAM营收季持平，主要还是替晶豪科、爱普等IC设计业者代工的获利较佳，本身DRAM产能转向更高毛利的产品；华邦电去年第4季DRAM营收下滑2.2%，主因为DRAM产能受NOR Flash产能压缩所造成。

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