【量产】旺宏:高阶NOR Flash需求稳定3D ROM有望年底量产
2018-02-03
14:00:34
来源: 老杳吧
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1.旺宏:高阶NOR Flash需求稳定3D ROM有望年底量产
2.DRAM 与FLASH 两大引擎拉抬,华邦电2017 年获利创17 年来新高
1.旺宏:高阶NOR Flash需求稳定3D ROM有望年底量产
全球NOR Flash记忆体市占第一的台湾记忆体制造商旺宏电子,日前在法说会上表示,2018年高容量NOR Flash的价格仍稳定上扬,但低阶的NOR Flash产品则会有供过于求的状况;另外,旺宏研发已久的3D ROM产品将有望在今年底量产。
旺宏去年的营运翻转,不仅全年转亏为盈,第四季更迎来自2010年第3季以来,单季新高,累计去年税后纯益55.18 亿元,每股纯益3.12 元。
旺宏表示,今年36奈米制程NAND Flash的需求明显成长,产出颗粒数是75奈米制程的两倍,对营运成本有所助益;NOR Flash部分,目前55奈米制程需求稳定,产能依然接近满载。
总经理卢志远表示,旺宏在NOR市占率已是全球第一,今年将着眼SLC NAND 市场,目标是全球第二大。他指出,全球SLC NAND Flash的需求仍将持续成长,价格稳定,且有机会微幅上扬。
另一方面,旺宏也表示,其研发多时的3D ROM技术,将有望在今年底量产。来源:CTIMES
2.DRAM 与FLASH 两大引擎拉抬,华邦电2017 年获利创17 年来新高
2.DRAM 与FLASH 两大引擎拉抬,华邦电2017 年获利创17 年来新高
1.旺宏:高阶NOR Flash需求稳定3D ROM有望年底量产
全球NOR Flash记忆体市占第一的台湾记忆体制造商旺宏电子,日前在法说会上表示,2018年高容量NOR Flash的价格仍稳定上扬,但低阶的NOR Flash产品则会有供过于求的状况;另外,旺宏研发已久的3D ROM产品将有望在今年底量产。
旺宏去年的营运翻转,不仅全年转亏为盈,第四季更迎来自2010年第3季以来,单季新高,累计去年税后纯益55.18 亿元,每股纯益3.12 元。
旺宏表示,今年36奈米制程NAND Flash的需求明显成长,产出颗粒数是75奈米制程的两倍,对营运成本有所助益;NOR Flash部分,目前55奈米制程需求稳定,产能依然接近满载。
总经理卢志远表示,旺宏在NOR市占率已是全球第一,今年将着眼SLC NAND 市场,目标是全球第二大。他指出,全球SLC NAND Flash的需求仍将持续成长,价格稳定,且有机会微幅上扬。
另一方面,旺宏也表示,其研发多时的3D ROM技术,将有望在今年底量产。来源:CTIMES
2.DRAM 与FLASH 两大引擎拉抬,华邦电2017 年获利创17 年来新高
记忆体大厂华邦电2 日下午召开法人说明会,并公布2017
年下半年及全年的营收数字。华邦电表示,在单季营运方面,2017 年第3 季合并营收,含新唐科技等子公司的部分为新台币125.5
亿元,营业毛利率为37%,归属母公司净利为20.85 亿元,每股EPS 为0.58 元。第4 季的部分,合并营收含新唐科技等子公司为132.6
亿元,营业毛利率为38%,归属母公司净利为17.89 亿元,每股来到0.49 元。
华邦电表示,记忆体事业群部份,2017 年利基型记忆体(Specialty DRAM) 占全年度营收40%,营收较前一年度减少8%,主要系因为产能受限所致。而行动记忆体(Mobile DRAM) 占的部分则占全年度营收的13%,营收较前一年度增加5%,营收增加的主因在于低容量产品需求增加。最后,在快闪记忆体(Flash Memory) 部分,营收则是占全年度的47%,营收较前一年度增加46%,成长动能来自产能增加及有利的市况所致。
累计,2017 年全年,华邦电含其新唐科技等子公司合并营收为475.92 亿元,归属母公司净利为55.51 亿元,每股来到1.54元,创下17 年来的新高数字。华邦电总经理詹东义指出,目前包括DRAM、FLASH 两大记忆体已经占公司营收比重各半的比例,成为两大成长引擎,这将使得整个公司营运的情况更加看好。而且,因为两项产品同时市况变差的情况不容易,因此就2018 年的情况来看,DRAM、FLASH 两大产品的市况仍旧健康,使得华邦电2018 年也会是稳健成长的状态。
另外,詹东义也强调,在市场多出许多应用,包括人工智慧、挖矿机、汽车电子等领域的情况下,过去DRAM、或FLASH 依赖PC 或智慧型手机单一产品成长的情况已经过去,因此,整体市场市况仍健康。而虽然公司也希望能增加产能,满足市场上的需求。但是,受限于目前台中厂空间已经满载的情况下,只能靠着产品组合及制程的优化,提升部分产能。华邦电2017 年整体月产能约4.6 万片,2018 年预计提升至5.2 万片。其中,DRAM、FLASH 全年的产能估计都会增加超过一成的比例。
至于,在整体资本支出的部分,华邦电子因应增加产能之所需,2017 年资本支出152 亿元, 2018 年将再提高至185 亿元。而在技术制程的发展上,DRAM 部分,华邦电自行开发的开发的3X 奈米量产后,出货也将逐步增加,之后也会继续投入2X 奈米制程的研发。而在FLASH 产品上,45 奈米的制程技术研发也将继续。在DRAM、FLASH 产品的持续发展下,詹东义表示,华邦电未来将不会再被定义成是纯DRAM 制造公司。
(科技新报)
华邦电表示,记忆体事业群部份,2017 年利基型记忆体(Specialty DRAM) 占全年度营收40%,营收较前一年度减少8%,主要系因为产能受限所致。而行动记忆体(Mobile DRAM) 占的部分则占全年度营收的13%,营收较前一年度增加5%,营收增加的主因在于低容量产品需求增加。最后,在快闪记忆体(Flash Memory) 部分,营收则是占全年度的47%,营收较前一年度增加46%,成长动能来自产能增加及有利的市况所致。
累计,2017 年全年,华邦电含其新唐科技等子公司合并营收为475.92 亿元,归属母公司净利为55.51 亿元,每股来到1.54元,创下17 年来的新高数字。华邦电总经理詹东义指出,目前包括DRAM、FLASH 两大记忆体已经占公司营收比重各半的比例,成为两大成长引擎,这将使得整个公司营运的情况更加看好。而且,因为两项产品同时市况变差的情况不容易,因此就2018 年的情况来看,DRAM、FLASH 两大产品的市况仍旧健康,使得华邦电2018 年也会是稳健成长的状态。
另外,詹东义也强调,在市场多出许多应用,包括人工智慧、挖矿机、汽车电子等领域的情况下,过去DRAM、或FLASH 依赖PC 或智慧型手机单一产品成长的情况已经过去,因此,整体市场市况仍健康。而虽然公司也希望能增加产能,满足市场上的需求。但是,受限于目前台中厂空间已经满载的情况下,只能靠着产品组合及制程的优化,提升部分产能。华邦电2017 年整体月产能约4.6 万片,2018 年预计提升至5.2 万片。其中,DRAM、FLASH 全年的产能估计都会增加超过一成的比例。
至于,在整体资本支出的部分,华邦电子因应增加产能之所需,2017 年资本支出152 亿元, 2018 年将再提高至185 亿元。而在技术制程的发展上,DRAM 部分,华邦电自行开发的开发的3X 奈米量产后,出货也将逐步增加,之后也会继续投入2X 奈米制程的研发。而在FLASH 产品上,45 奈米的制程技术研发也将继续。在DRAM、FLASH 产品的持续发展下,詹东义表示,华邦电未来将不会再被定义成是纯DRAM 制造公司。
(科技新报)
文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/25/n-662025.html
责任编辑:星野
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