三星半导体未来四年投资190亿美元，中国存储首当其冲？

据外媒报道，三星看好半导体景气持续往上走，周二宣布未来四年将砸下逾20兆韩元，或相当于190亿美元投资旗下半导体事业。

三星两年前耗资15.6兆韩元在南韩平泽市打造新记忆体厂，新厂当日才刚正式投产，三星已计划2021年内再额外投入14.4兆韩元（125亿美元）扩厂。（美联社）

三星还计划投资位于华城的记忆体园区6兆韩元。与此同时，三星也考虑增加中国西安半导体厂的产能。IHS Markit数据显示，2017年全球DRAM产值跳增72%、来到722亿美元，2018年预估将进一步扩增至844亿美元，年增率达16.9%。（Koreaherald.com） NAND 快闪记忆体去年成长46.2%、成为538亿美元，今年预估扩增至592亿美元。产业资讯显示，3D NAND快闪记忆体占三星快闪记忆体出货比重，去年第四季已超过八成，今年底预估将超越九成。

根据SEMI资料显示，2017年韩国整体投资金额激增主要是因为三星支出大幅成长，其成长幅度可望达到128%，从80亿美元增至180亿美元。但这些投资主要花在韩国境内。

存储快速扩产，

中国首当其冲

 

从上文我们可以看到，三星正在快速扩大其存储产品产能。这一方面可以缓解当前存储短缺和价格频频上涨的现状；另一方面三星可以通过这样的快速扩产，将价格下探，用量来抢占市场，提高他们存储产品在市场上的占有率。这是三星过往做过的事情，或许在这里会再度故伎重演；第三，三星的存储扩产，会对中国的存储发展，造成不利的市场影响。

近两年，国内正在大力发展存储产业，进展最快的是紫光集团旗下的长江存储，最近已经拿出了不错的成果。

在去年12月，紫光董事长赵伟国指出，长江存储已经成功研发出32层64G 3D NAND芯片，并计划在今年量产。但新发产品肯定会面临价格成本不高，良率相对低的风险，这对于供应商或者终端厂商来说，是一个很难接受的事情。

在三星快速扩充差能之后，加上东芝、美光和SK海力士都在扩产能，自必然会将现在的存储价格拉低，对于刚萌芽的中国存储产业来说，刚出生就面临巨大的生存大挑战。

晶圆厂野心不小，

但台积电地位难撼动

 

晶圆厂相信是三星重点投资的另一个领域。三星半导体的相关负责人在早前也表示，展望在晶圆代工方面在今年可以超越第二，未来的目标是和市占超过50%的晶圆代工巨头台积电掰手腕。因此他们也投入了庞大的资金到晶圆厂业务里面。

据去年11月消息，三星电子正与美国与中国新客户进行接洽，计划为它们进行7纳米晶圆代工，离签约之路不远。三星并与韩国华城市取得共识，欲建立新的7纳米代工厂，预计行政程序将在12月初完成。媒体表示，台积电在7纳米制程上，尚处领先优势，但仍须注意三星的反击。

据了解，三星美国新客户已同意测试新的芯片，并且在做准备中，而中国的新客户则是以生产手机系统芯片(System on Chip)为主的厂商，目前正在进行内部讨论，有很高的机会将把7纳米晶圆代工交给三星，而不是台积电。

三星电子在7 纳米晶圆代工事业体上，稍微落后给台积电，但三星强调，它们的7 纳米制程，将是使用极紫外线(EUV) 光刻科技，为代工领域领先的技术，在面积，性能与用电量都有优势。

透过目前EUV 7 纳米晶圆厂的17 条生产线，三星预计每个月可生产4 万到5 万片晶圆，在新增了中国与美国客户，与从台积电手中抢回一些客户后，估计需求量会增加，因此三星计划从ASML 购入9 台新的EUV 设备。

根据三星的计划，公司将在2020年推出4纳米制造工艺，显然是瞄准台积电5纳米工艺而来。在2018年至2020年间，三星将持续推进半导体制造工艺，今年计划量产7纳米，而2019年将陆续投入6纳米和5纳米研发。

不过台积电在产品的宽度、广度上面的领先，是三星难以企及的。

业内人士称，台积电5纳米制造工艺将是7纳米工艺的延续，应用领域同样锁定移动通讯、高性能计算、人工智能和机器学习等，预计2019年上半进入试运行。

知情人士称，由于台积电凭借7纳米制造工艺赢得了苹果和高通的订单，三星的代工策略也相应地发生转变。过去，三星专注于高端芯片代工，而如今则广泛接触各应用领域的潜在客户，以提高市场份额。

未来也许三星会投入更多到其猎户座芯片上的研发，在昨日，他们刚发布了Exynos 9810芯片，受到了媒体的一致热捧。

但是考虑到三星和高通玄妙的关系，这方面业务的推广和平衡，在未来几年会对三星造成巨大的困扰。