三星芯片业务前三季日入近2亿美元,Intel终被拉下马

2017-12-26 10:31:28 来源: 凤凰网科技

 

据《日经亚洲评论》北京时间12月26日报道,三星电子有望在今年成为全球最大半导体销售商。飙升的存储芯片需求正推动三星超越英特尔公司,后者已经把持年芯片收入第一的位置长达25年时间。

 

三星在两股行业趋势上受益更多,一个是智能机存储能力的提高,另一个是数据中心行业的蓬勃发展。相比之下,英特尔依旧依赖PC CPU收入。

 

今年1月至9月,三星半导体业务收入为53.15万亿韩元(约合492亿美元),同比增长46%。英特尔同期半导体收入为457亿美元,同比增长6%。即便是计入汇率变动影响,三星今年的半导体收入肯定也能超越英特尔。

 

三星在NADA闪存和DRAM内存芯片领域占据优势,其收入增长主要源于存储芯片价格的增长。三星还有其他优势。和对手相比,三星工厂的良品率更高,这源于三星在生产设备和研发上的巨大投入。正因为此,即便是苹果公司,现在也得同意三星的涨价要求。

 

相比之下,英特尔仍依赖面向PC制造商的CPU销售,而PC市场已经饱和。尽管存储芯片需求预计会继续飙升,但是如果芯片厂商增加产能,它的价格可能就会下降。

 

三星芯片业务的未来也面临不确定性,该公司已经在设法降低风险,扩大芯片代工业务和其他业务。但是,三星对存储芯片业务如此依赖,切断这一收入来源依旧是一个长期挑战。但从目前看来,这两项业务都面临巨大的挑战:

 

首先在芯片代工方面,之前有媒体质疑三星的晶圆代工技术,指出他们由于是存储出身,导致他们在代工工艺方面和台积电这些业界巨擘相比,差距明显。《日经新闻》报道,明年上市的骁龙845处理器将采用三星第二代10nm制造工艺,即“10LPP”。该工艺较第一代10nm技术“10LPE”在性能方面将提高10%。

 

这可能是三星最后一次代工高通骁龙8系芯片,《日经新闻》透露,由于三星的制造技术相对落后,高通骁龙855移动处理器将由台积电代工。

 

消息人士指出,三星在2018年还无法使用7纳米制造工艺,取而代之的是“8LPP”制造工艺,该工艺虽然比第二代10nm制造工艺先进,但是无法抗衡台积电的7纳米制造工艺,这也正是高通重新拥抱台积电的原因。

 

当然,报道还表示,如果三星的7nm工艺成熟时,高通也有可能会重新牵手三星。目前来看,高通骁龙855交由台积电代工是妥妥的了。

 

其次就是存储方面,价格开始下跌,还有竞争者的来势汹汹,对三星来说,也是一件不愿意见到的事情。

 

随着缺货和涨价的加剧,很多分析师认为三星的营收将会在未来继续攀升,不过在摩根斯坦利看来,存储周期的顶峰即将结束,到2018年,存储行业将会遇冷。他们表示,在2017年第四季度,市场已经看到了NAND Flash价格开始翻转的趋势,至于DRAM的需求方面,也会在2018年Q1时候减弱。到了2019或者2020年,存储的供应量将会大幅增加,届时市场上将会出现供应过剩的风险,价格也就会随之下跌。对中国正在打造的存储供应商来说,这也许是一个技术以外的大挑战。


存储价格往下走几成定局
 

摩根斯坦利的报告表示,有迹象表明,移动存储和入门级SSD的价格从今年四季度开始,已经有了回落的趋势,在于存储产业链的人交流之后,他们认为NADN Flash面临的降价幅度将会大大超过市场的预期。

 

在他们看来,NAND Flash的价格在2017年Q4就开始进入了动荡期。这是由高价格引发的连锁反应。NAND的供应逐渐也开始超过了需求。这主要是因为之前由平面转向3D引致产能不足的问题已经有了初步缓解而导致的结果。他们认为到2018年Q1,NAND的平均价格将会同比下降19%。大摩认为NAND Flash的供过于求,将快速破坏现在的供需平衡,到下半年,届时价格或许比现在低30%。

 

对于DRAM,大摩还是比较积极。在他们看来,在未来的8到10个月内,DRAM的价格将会保持比较健康的水平,这一方面是由于中国的手机制造商推动将6GB DRAM引入到中低端手机,这将加大DRAM的需求,能够保证DRAM的健康。在大摩看来,存储在数据中心的稳定增长是会持续。

 

大摩认为三星DRAM的平均价格明年一季度将同比增长2%,而整个2018年的增长则会同比增长4%。在此期间,服务器的需求会保持强劲,不过移动设备和PC的价格则将会下滑,但是我们对DRAM 在2018的价格走势仍然表示乐观。

 

大摩认为,三星DRAM出货量在2018年的增长将同比提升18%,超过14%的预期。粗略估计,三星平泽工厂现在DRAM产能为20K每个月,到2018年,这个数字将会达到60K,通过扩充产能的方式,明年三星将会进一步巩固其DRAM的市场份额。

 

据大摩预测,三星Line 11的30K DRAM产能将会转变成10K CMOS。Line 16的平面NAND转化为3D NAND,届时将会引起产能骤减。三星方面也表示,将会把60K到70K的产能转换为3D NAND。然后将剩下的平面NAND 产能转换为30K DRAM。

 

再加上中国竞争者、SK海力士、美光的虎视眈眈,三星的龙头地位,能坐多久,也是个未知之数。

 


责任编辑:凤凰网科技
半导体行业观察
摩尔芯闻

热门评论