三星量产新型DRAM ，巩固存储首位宝座

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韩国三星电子日前宣布，已启动新型DRAM（动态随机记忆体）的量产。该记忆体的电路线宽为最尖端的10纳米（10亿分之1米）级。三星通过微细化将生产效率提高了3成，将应对全球不断增长的数据中心需求。三星在半导体记忆体领域居全球首位，将在尖端产品的量产方面领跑，以甩开美国、日本竞争对手。

三星电子的华城工厂（京畿道华城市）

本次启动量产的是被三星称为「第2代」的10纳米级DRAM，存储容量达到8GB。三星采用新设计，将数据传输速度提升超过10％，耗电量降低超过15％，主要面向数据中心的伺服器。同时，三星还计划将新技术应用于智慧手机等移动终端用DRAM。

三星2016年2月启动了10纳米级DRAM的量产。该公司仅表示，「各企业的标准有所不同」，并未透露具体数值。但有分析师分析称，「以往产品为18纳米，此次微细化水平达到15～16纳米」。随着微细化取得进展，1枚硅晶圆能生产的记忆体数量会增加，生产效率将随之提高。因此除了部分用途之外，三星的DRAM基本上将全面转向10纳米级。

全球第2大DRAM厂商韩国SK海力士2017年秋季启动了18纳米DRAM的量产，但整体占比还不到1成。预计15～16纳米产品的量产要等到2018年秋季。在三星方面，目前超过5成产品已为10纳米级，正向着全面10纳米级迈进。

由于大数据和人工智慧（AI）的普及使数据量呈爆炸式增长，DRAM和NAND型记忆卡的需求正在迅速扩大。2017年7～9月，三星半导体部门的营业利润达到9.96万亿韩元，同比增至近3倍，连续4个季度创出新高。

目前全球范围出现半导体记忆体短缺。有观点认为，半导体行业进入了需求呈跨越式增长的「超级周期」阶段。韩国野村证券指出，「明年DRAM仍将供不应求」。三星将通过向尖端产品过渡来增加产量，以应对旺盛的需求。

三星持续对半导体工厂进行巨额投资，已在DRAM市场掌握约5成份额。长期以来，DRAM 行业一直由三强把持。韩国的三星电子、SK海力士以及美国的美光科技拥有该领域的绝对话语权，三者的座次也相对固定。2017年三季度数据显示，这三家企业的营收市占率分别为45.8%、28.7%和21.0%，共豪取九成份额。

尤其是三星，自 1992 年超越日本 NEC 成为全球最大 DRAM 存储制造商之后，便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的业务也异乎寻常地亮眼，可以说，半导体业务是运营利润的主要贡献者。

在NAND领域，三星也掌握约4成份额，均高居全球首位。除了三星之外，DRAM市场上还有收购尔必达记忆体的美国美光科技、SK海力士，形成3家垄断状态。三星将通过投入尖端产品来巩固领先地位。在数据中心的需求迅速扩大的NAND领域，三星也打算在技术开发方面领先，以甩开东芝等对手。

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