IC Insights：三星今年资本支出创新高，足以阻止中国存储崛起

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随着市场竞争加剧，半导体竞争从产品、技术，延伸到资本支出。根据市场调查机构IC Insights 最新调查报告显示，2017 年全球半导体产业资本支出将达908 亿美元，较2016 年成长35% 。其中，南韩半导体大厂三星的资本支出翻倍成长，由2016 年113 亿美元，成长至2017 年的260 亿美元，为英特尔及台积电全年资本支出的总和。

报告表示，三星2017 年的资本支出达260 亿美元，不但金额之高史无前例，年成长幅度也是从未见过的新高。IC Insights 预计，三星在2017 年第4 季将有86 亿美元的资本支出，约占全体半导体产业当季资本支出262 亿美元的33%。三星2017 年第4 季的销售金额，约等于全球半导体产业销售金额的16%。

至于，三星的260 亿美元资本支出会如何分配？IC Insights 表示，3D NAND Flash 方面，将花费140 亿美元在平泽（Pyeongtaek）工厂的产能扩大计画。另外70 亿美元会用在DRAM 制程转移，以及填补制程转移损失的容量消耗。晶圆代工部分，将花费50 亿美元用于提升10 纳米制程能力。

对三星扩大资本支出，IC Insights 表示，将对全球半导体产业造成影响，首当其冲的，就是3D NAND Flash 产业。IC Insights 解释，未来3D NAND Flash 可能因三星扩产造成产量过剩，不过并非三星一家公司造成，而是三星带给其他SK 海力士、美光、东芝、英特尔等公司的压力，在某些特别领域的资本支出增加，以提升产能。

IC Insights 也指出，三星这样的资本支出规模，足以阻止任何中国在DRAM 及3D NAND Flash 等产品新创公司进入市场的希望。尤其中国相关新创公司技术无法与三星、SK 海力士、美光等公司竞争，如果没有一家大型相关合资企业出现，则中国厂商难以与这些领先者对抗。

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