闪存领先遭强力挑战，三星投180亿美元到芯片产业

来源：内容来自新浪科技和MoneyDJ ，谢谢。

据MoneyDJ在7月3日的报道，韩媒etnews 4日报导，业界消息证实，SK Hynix第四代72层的3D NAND进入量产，主要用于移动装置，并已交货给客户。SK Hynix 4月份才宣布研发出72层3D NAND，3个月内就进入量产，速度极为惊人。一般研发成功之后，快的话要6个月，慢的话要一年以上，才会开始量产。以三星电子为例，该公司2016年8月研发出64层3D NAND，今年6月才宣布量产，大约花了10个月时间。

据传SK Hynix 不只量产，生产效能也极佳，该公司72 层3D NAND 生产率提高30%，与三星64 层3D NAND 近似，而且达到「黄金良率」（golden yield），比美三星。不只如此，新品采用SK Hynix 自家的控制器和韧体（firmware），不再对外采购，可提高毛利。专家称，如此一来，SK Hynix 的竞争优势逼近三星。

SK Hynix 是NAND Flash 的第四大厂，市占率落后三星电子、东芝、Western Digital（WD）。不过目前东芝和WD 为了东芝记忆体业务出售案，闹得不可开交，倘若SK Hynix 掌握72 层3D NAND 技术，可趁势夺取客户，改写NAND 市场版图。

投180亿扩充芯片市场，有意而为之？

在SK海力士挑战的消息传出之后，北京时间7月4日上午消息，韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元（约合186.3亿美元），以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。这家营收居位全球第一位的存储芯片制造商表示，到2021年，该公司在平泽市的新NAND工厂总计投入将达到14.4万亿韩元，其中的6万亿韩元将用于建造一条新的半导体生产线，但未对时间或产品加以详细说明。

由于市场对长期数据存储芯片的需求不断增长，该公司还将在中国西安的NAND工厂增设一条生产线，但没有设定投资金额或时间框架。

外界普遍预计，三星和其他内存生产商将在2017年实现利润创纪录，因为智能手机和服务器的性能不断提高，从而导致价格上涨。行业消息人士和分析师表示，由于高端存储产品的普及，NAND芯片的短缺问题更为严重。

一些分析师表示，三星的生产技术至少要比东芝和SK海力士（SK Hynix Inc））等竞争对手领先一年。三星每年在半导体领域的投资超过100亿美元，帮助其保持领先优势。分析师表示，最新投资旨在拉大这一差距。

近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产，但分析师和业内人士表示，由于新设备在2017年无法提供有意义的供应，短缺可能至少持续到明年。

一些分析师表示，这种额外的产能可能会在2018年初造成轻微的供应过剩，但随着智能手机制造商选择更大的内部存储，价格崩溃的现象不太可能发生。市场对用于云计算和虚拟现实应用程序的高端服务器存储的需求也将继续增长。

“我相信，2020年之前，NAND市场环境将继续利好供应商，”HMC投资分析师Greg Roh表示。他说，任何供应过剩的问题都将是暂时的，而且仅限于季节性较弱的时期。

三星表示，对韩国的投资是为了响应新总统文在寅的号召，将在2021年创造多达44万个就业机会，并将有助于提振经济。

该公司周二还表示，三星显示器公司计划在韩国新成立一家企业，生产有机发光二极管显示器，投资约1万亿韩元。

中国的长江存储也是未来的挑战？

三星前有强敌，在后面也有追兵。自从紫光和武汉新芯合作打造闪存产业，并拉拢了高启全来负责全新的长江存储以后，中国存储产业获得了突飞猛进的进步。这无疑会给三星带来压力。

在今年四月份，高启全接受媒体采访时表示，公司现已投入3D NAND研发，2017年底提供32层3D NAND的样本，将是公司技术自主的里程碑，之后从事64层技术，待该技术成熟后，长江存储才会投入3D NAND量产，届时与三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距会缩短至一代左右。

再者，长江存储也考虑自己开发DRAM技术，可能的切入点是18/20纳米制程，无论是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技术，不会再走过去台湾技术授权的老路！

高启全表示，无论是DRAM或3D NAND技术，最好的合作伙伴是美光，但现在政治气氛不对，美国对大陆半导体产业的积极度有被威胁之感，因此洽谈的时间会再延长，但美光1年来全球DRAM市占率从28%掉到18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。

长江存储分为武汉和南京12寸厂两大据点，各自单月产能都是30万片规划，外界对于这样的产能规模，以及何时量产都有很多疑问，他强调，12寸厂规划不会是虚晃一招，但技术没成熟前也绝对不会冒然投产，长江存储的内存规划是有计划、慢慢做，千秋大业是急不得，我们也不会去打乱市场的行情。

高启全指出，这样的12寸产能规模将会成为对抗三星电子(Samsung Electroncis)的充裕子弹和最佳利器，欢迎美光加入，现在南韩控制全球DRAM市占高达80%、NAND Flash高达60%，不出几年的时间，南韩就会掌握全球90%的内存芯片，这是全世界都该害怕的事情，三星是全球科技业的威胁。

他进一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，对台湾亦有利，以大陆有计划的布局可扮演此角色，且只有大陆才有这个资源投入，长江存储就是基于这个出发点而诞生，也是大基金唯一真正投资的内存阵营。

他强调，3D NAND和DRAM技术绝对在大陆自主开发，技术不成熟时不会冒然投产，另外，我们不会再走回过去台湾技术授权的失败老路，发展自有技术同时，侵犯别人专利会付钱，且长存已累积多个3D NAND专利，别人用到也要付费，唯有合法来源取得技术，持续前进，才能吸引到全球人才，打造国际级的规格。

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