半导体行业产学研三界大咖齐聚，8月相约北大

蔡一茂，博士，北京大学微纳电子学研究院教授

2006~2009年在韩国三星电子存储器研发中心任高级研究员，从事先进Flash存储器架构和工艺研究。

2009年，加入北京大学微电子学研究院，先后任副教授，教授。研究领域为以RRAM为代表先进存储器、柔性电子器件、神经形态器件、集成及相关应用技术。

在国内外专业期刊和会议上发表论文30余篇，获得中国发明专利授权30余项，美国专利授权10余项，部分成果已被中芯国际集成电路制造公司共享使用。

演讲主题：先进闪存可靠性表征

冯军宏  经理   中芯国际集成电路制造有限公司

目前负责14FF可靠性及电性测试。在中芯国际可靠性部门10年工作经历，曾负责了40G,28HK/PS等工艺可靠性研发工作及90nm,65nm及45nm的产品可靠性认证工作。100+国内国外专利。

演讲主题：中芯国际14FF研发进展介绍及WAT测试的挑战

高滨，清华大学微电子所，助理教授，博士生导师

2008年获得北京大学物理学学士学位，2013年获得北京大学微电子学与固体电子学博士学位。

分别于2010年和2012年赴新加坡南洋理工大学和美国斯坦福大学交流访问。

目前主要从事新型非挥发存储器、新型非冯诺依曼计算架构的研究，尤其在阻变存储器和类脑计算方面取得多项创新成果。已发表学术论文100余篇，其中IEDM和VLSI共20篇，总引用超过2000次，个人H因子24。另有40余项中国发明专利和6项美国专利。曾于2012年获得IEEE EDS PhD Student Fellowship。

演讲主题： 阻变存储器可靠性模型及表征

韩根全，西安电子科技大学微电子学院教授

博士毕业清华大学，在中科院半导体研究所获得博士学位，微电子学院教授，优秀青年基金获得者，入选陕西省“百人计划”。

从2008到2013年韩根全博士在新加坡国立大学Silicon Nano Device Laboratory (SNDL) 实验室从事高端CMOS器件研制。韩博士在高迁移率非硅材料CMOS器件、隧穿晶体管以及负电容晶体管器件研制方面取得了国际领先的研究成果，相关研究成果被Semiconductor Today等网站多次转载。韩根全博士发表论文100多篇，在IEEE顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM) 和VLSI Symposium on Technology (VLSI) 上发表多篇文章。

演讲主题： Germanium based Tunneling and Negative Capacitance FETs for Beyond

CMOS Applications:  Devices and Characterization

纪志罡  副教授    英国利物浦约翰摩尔斯大学

He received the B. Eng. degree in Electrical Engineering from Tsinghua University in 2003, the M. Eng degree in Microelectronics from Peking University in 2006 and the Ph.D. degree in Microelectronics from Liverpool John Moores University in 2010. He has authored or co-authored over 60 journal and conference papers covering the research on the degradation phenomena and reliability assessment of SiO2, SiON, high-k, and multiple-gate devices and characterization of Ge/III-V and MIM devices. His current research interests focuses on characterization, modeling and design techniques for reliable, low-power, and high-performance systems, motivated by both evolutionary and revolutionary advances in nanoelectronics.

演讲主题： Defect characterization for advanced logic and memory devices

靳磊，2002年毕业于清华大学电机系，2009年1月毕业于北京大学微电子学系，获理学博士学位。

长期从事半导体器件、参数测试分析相关的科研和产品研发。

2005年~2008年于中芯国际(北京)集成电路制造有限公司参与65nm CMOS工艺技术研发，从事CMOS器件NBTI可靠性研究及工艺改进。

2009~2013年，在新加坡思达科技有限公司从事半导体参数测试系统研发，率队开发的多项产品在TSMC等公司获得广泛应用。

2013年11月，加入中国科学院微电子研究所，获聘“百人计划”研究员，针对三维Flash存储器件开展新存储器件结构和表征方法研究。

2014年10月进入武汉新芯集成电路制造有限公司(现长江存储科技股份有限公司)，从事三维存储产品研发，目前负责三维存储器件研发。

演讲主题： 三维NAND存储技术概述及进展

刘长泽  博士   华为海思半导体有限公司

Peking University in 2013. Then he joined the Quality and Reliability Team in Samsung Electronics, Korea, where he involved in the development of 14/10/7nm processes. In 2017 he joined the Design For Reliability team in Huawei Hisilicon. He has authored or coauthored over 30 scientific papers including IEEE IEDM, VLSI and IRPS. He also served as the committee member of IRPS, ISCAS as well as the reviewer of IEEE T-ED and EDL. His research interests now include the design for device, circuit and product level quality and reliability.

演讲主题： 先进工艺(14/10/7纳米)可靠性表征

苏志强, 北京兆易创新科技股份有限公司 战略总监, 存心科技(北京)有限公司 总经理

从事Flash Memory包括NOR和NAND Flash产品设计开发十五年。

2002年起历任Intel设计工程师，复旦微电子高级工程师，参与开发中国最早的NOR Flash产品。

2008年7月至今在北京兆易创新科技股份有限公司历任资深设计工程师、项目经理、设计部门经理、资深设计经理、战略总监，负责研发公司0.13um、90nm、65nm系列NOR Flash产品，38nm、24nm NAND Flash以及3D NAND技术研究。

申请存储器领域发明专利120个以上，负责制定存储器领域国家行业标准一项，军民通用国家标准两项，任国家集成电路标准化委员会委员。

演讲主题： Flash Memory失效模式和系统可靠性

王润声：北京大学信息学院副教授、博士生导师

近期主要研究方向：微纳电子新器件、可靠性与表征技术、电路-器件协同设计。已发表SCI/EI论文80余篇，其中包括40余篇专业顶级会议IEDM和顶级期刊IEEE TED/EDL论文。应邀作国际学术会议特邀报告10余次。

获中国专利授权30余项、美国专利授权10余项。相关成果被列入国际半导体技术路线指南(ITRS)。获2013年美国IEEE电子器件青年科学家奖 (IEEE EDS Early Career Award) ， 是首位来自非美国机构的获奖者；获2014年教育部自然科学一等奖 (个人排名第2)；获2015年国家自然基金委优秀青年基金。任Nature旗下期刊Scientific Reports编委、《中国科学：信息科学》栏目编委；任IEEE IRPS等国际学术会议TPC委员。

演讲主题： Characterization of stochastic oxide trapping in nanoscale CMOS devices

吴燕庆  教授   华中科技大学

Yanqing Wu is currently a Professor at the Huazhong University of Science and Technology Wuhan, Hubei, China. His research interests include graphene nanoelectronics; electronic devices on novel two-dimensional materials such as MoS2 and black phosphorus; high-frequency devices and circuits as well as high-power devices; He has published more than 80 papers in international journals and conferences.

演讲主题： High-performance two-dimensional electronic devices and characterization

赵毅，教授，博导，浙江大学

赵毅博士为“千人计划(青年项目)”入选者，浙江大学信息与电子工程学系教授，博士生导师。曾多年在(美国)IBM国际半导体研发联盟/ Globalfoundries公司， (日本) 东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究。

近年来的研究主要集中在以下三个方面：1)高迁移率沟道(应变硅，锗，InGaAs等)CMOS器件与工艺；2)电子器件与工艺的可靠性物理及其表征技术；2)高介电常数(k)栅极介质。曾担任(日本)东京大学生产技术研究所特任助理教授和国家“973”计划项目课题负责人，被邀请在IEEE International Workshop on Junction Technology(IWJT，2013)，中国物理学会年会和中国功能材料及应用学术会议等会议上做邀请报告，并担任国际会议IEEE ICSICT (2016)、IEEE ASICON(2017)的程序委员会共同主席(Program Committee, Co-Chair)和IEEE IWJT(2014, 1016)执行委员会委员。

演讲主题： 亚纳秒器件表征技术 Sub-1ns Device Characterization Methodology