三星64层NAND FLASH量产，国产企业要加速！

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三星电子15 日宣布，最新64 层256GB V-NAND 快闪记忆体已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含伺服器、PC 与行动装置的储存解决方案。

64 层V-NAND 快闪记忆体用称为第四代V-NAND 晶片，南韩ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代晶片占每月生产比重拉高至五成以上。

其实，三星今年1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含64 层V-NAND 晶片的固态硬碟（SSD），自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与IT 产业同步化。

三星64 层V-NAND 快闪记忆体传输速度达每秒1Gb，市面上同类型记忆体产品中无人能出其右。若与48 层产品相比，64 层快闪记忆体的省电效能约高出三成，可靠性则增加约两城。

三星目前是NAND 龙头，2016 年市占率为36%，在第四代NAND 晶片量产后，三星可能陆续调降第二、三代晶片价格，除可进一步扩大市占外，还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。

三星全球最大半导体工厂助攻扩大产能

作为全球最大的NAND芯片供应商，三星自己一家就占据全球37%的份额，是第二名东芝的两倍，产能、技术都要领先于其他几家公司。现在其他公司赶超三星闪存的可能性更小了，因为三星两年前斥资144亿美元建设的平泽工厂基本完工了，三星称其为世界最大的半导体工厂，预计7月份正式投产，主要生产64层堆栈的新一代3D NAND闪存。

2015年三星宣布了15.6万亿韩元（约合144亿美元）的半导体投资计划，将在韩国平泽市建设全球最大的NAND晶圆厂，预计在2017年上半年完工。平泽工厂将在三星的NAND业务中扮演关键角色，未来将与三星在京畿道器兴市的系统半导体工厂、华城市的DRAM内存工厂形成铁三角。

平泽工厂预计会在7月份正式投产，虽然号称是全球最大的半导体工厂，不过产能提升也是有个过程的，今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。三星平面及3D闪存工厂加起来每月产能大约是45万片晶圆，平泽工厂将占据10-20%的份额。

既然是费尽心血建设的新一代工厂，平泽工厂生产的产品自然也会是最新的3D NAND闪存，三星之前已经发布了堆栈层数分别是24、32、48层的三代3D NAND，平泽工厂下半年预计会生产堆栈层数达到64层的第四代3D NAND闪存。

根据三星之前公布的资料，64层堆栈的3D NAND核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

在平泽工厂之前，三星在中国西安投资70亿美元建设了NAND工厂，主力产品就是目前的48层堆栈3D NAND，未来西安工厂也会投产64层3D NAND闪存。

三星平泽工厂在未来两三年内可能还是最大的半导体工厂，不过这个最大工厂的名头很有可能被中国的长江存储科技取代——该公司在武汉、南京建设的晶圆厂规模更大，2020年时每个晶圆厂月产能可达30万片晶圆（还是12英寸的），真要投产了这两个工厂的产能就足以比肩三星全部NAND工厂产能，而武汉基地规划的产能最终是在2030年达到每月100万片晶圆。

在三星高歌猛进的时候，突然想起国内的长江存储。在几个月前，他们方面宣布将会在今年年底把32层3D nand flash送样，虽然说整体来说。但对比三星来看，中国半导体的道路还非常遥远。

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