创造“芯”世界,了解您所不知道的微纳电子器件
微纳电子技术做为信息技术的基石,推动了无线通信技术不断向前发展。随着亚纳米时代的到来,器件小型化的不断发展和集成度的不断提高,传统的硅基半导体器件已经逼近了其极限尺寸。
与此同时,随着实验制备工艺和合成技术的发展,越来越多的纳米材料和纳米结构不断涌现。得益于微小的结构和敏感的量子效应,微纳电子器件在信息感知、物质探测等方面具有先天的优势。相比于传统器件,其具有灵敏度高、能耗低、尺寸小、易集成的优点,具有非常广阔的市场前景。
本课程详细介绍了微纳电子器件的物理特性,相关可靠性分析和失效数据分析等概念内容以及应用之中需要主要的问题等等,以飨读者。
系列国际名家讲堂之
第37期预告
2017年4月10-12日
中国·南京
微纳电子器件-前端可靠性
主讲专家:
Guido Groeseneken
Guido Groeseneken
比利时鲁汶大学 教授
专家介绍
●鲁汶大学应用科学博士学位(1986 年)
●研究领域: 非易失性半导体存储器件与技术、超大规模集成电路技术的可靠性物理研究、MOSFET 热载流子效应、氧化物的经时绝缘击穿、NBTI 效应、ESD 防护和测试、等离子体处理诱导损伤、半导体电学表征和高 k 介质表征与可靠性。同时,他还致力于研究后 CMOS 应用中的纳米技术,例如互联和传感器应用中的碳纳米管、可替代超低功率器件的隧道 FET 等等
●鲁汶大学教授,并任欧洲 Erasmus Mundus 奖学金研究生项目主任
●所获荣誉:IEDM 欧洲组织主席(2000-2002),比利时鲁汶半导体绝缘膜(INFOS)大会主席(2005),荷兰马斯特里赫特欧洲 ESREF 会议发起人之一(2008)IEEE 电子器件会刊(IEEE Transactions on Electron Devices)总编(1999-2006)
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讲座大纲
1. Basic definitions, concepts and statistics of reliability engineering – 3.5hr
1.1 Definitions and terminology
● reliability and failure
● intrinsic, extrinsic, sudden, gradual failures
● bath tub curve
1.2 Reliability mathematics
● probability concepts
● reliability and failure functions
● common reliability distribution functions
1.3 Reliability testing principles
● temperature, voltage, humidity acceleration
● fatigue testing
● Screening
1.4 Analysis of failure data
● ranking of failure data
● censoring of failure data
● fitting of failure data
1.5 Effects of scaling on reliability
2. Gate oxide and Hot Carrier Degradation – 2.5h
2.1 Introduction
2.2 Basic oxide properties
● Oxide defects and charges
● Oxide conduction
● Oxide characterization techniques
● Oxide degradation
2.3 Hot Carrier Degradation (HCD)
● Hot carrier injection
● Effects of hot carrier injection
● Acceleration models and examples
● Dynamic degradation
● How to improve HCD
3. Time Dependent Dielectric Breakdown – 3h
● Basics
● TDDB testing: VBD, CVS, CCS, QBD
● Statistics
● Extrinsic breakdown
● Area scaling
● Percolation model and implications
● Acceleration model and reliability predictions
● Phases of breakdown: SILC, SBD, progressive BD
● TDDB in FinFET’s
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组织安排
讲座时间:2017年4月10-12 日(3天)
讲座地点:南京明发珍珠泉大酒店
南京浦口区珍珠街178-1号
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注册费用
注册费为5396元/人(含面授费、场地费、资料费、午餐费),学员需自理交通、食宿等费用。
注册费用减免条件及价格如下:
国信艾麦克(北京)信息科技有限公司由中心和IMEC共同设立,为本期国际名家讲堂提供会务服务并开具发票,发票内容为项目培训费。请于2017年4月6日前将注册费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(第37期+单位+参会人姓名)。
户 名:国信艾麦克(北京)信息科技有限公司
开户行:工行北京万寿路南口支行
帐 号:0200186409200051697
或请携带银行卡至活动现场,现场支持 POS 机付款。
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报名方式
报名截止日期为2017年4月6日,采用以下方式:
1. 邮件报名( 推荐)
报名回执表下载链接:
http://www.icplatform.cn/form
填写报名回执表并发送Word电子版至“国家IC人才培养平台”邮箱,邮箱地址:icplatform@miitec.cn,回执表文件名和邮件题目格式为:报名+第37期+单位名称+人数。
2. 微信报名
关注微信公众号“国家IC人才培养平台”(微信号:ICPlatform),并点击下方选项卡“在线报名”填写相关信息。
注:提交报名表并交纳报名费后方视为报名成功
3. 优惠政策
⑴、“芯动力”合作单位享受价格优惠,详情请咨询产业合作组贺老师,电话:010-68208714 。
⑵、针对高校推出Bonus Class Ⅱ优惠政策:
自2017年2月15日起,凡付费参加我中心与比利时微电子研究中心(IMEC)联合举办的国际名家讲堂的高校教师,可免注册费携1名学生参会。
上述学员需提供由所在学校出具的证明公函,加盖学校公章,并发送电子扫描件至icplatform@miitec.cn,经工作人员审核后,方可凭借Bonus ClassⅡ资格参会。
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住宿预定
为方便学员住宿与听课,提高服务水平,本次国际名家讲堂提供协议酒店预订服务,预订成功后,我们会代您预付保证金,且房间不可取消。
酒店名称:南京明发珍珠泉大酒店
地 址:南京浦口区珍珠街178-1号
协议价格:
标准双人房(含早餐) 338元/间
标准大床房(含早餐) 338元/间
请需要预订酒店的学员填写以下信息,并在4月6日17:00前,按照以下示例发送邮件至邮箱 liuhui@miitec.cn。
邮件题目格式为:第37期+预订酒店
邮件内容:姓名+性别+房型+入住时间+离店时间+手机号+是否合住
酒店预订成功后的两个工作日内,会务组将向您发送确认回执邮件。
预定酒店联系人:
刘慧 13510902565 liuhui@miitec.cn
工业和信息化部人才交流中心
郑屹、李逸舟
电 话:
010-68207883、68208749
传 真:010-68207863
E-mail:icplatform@miitec.cn
工业和信息化部人才交流中心
2017年3月27日
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