这才是AR/VR需要的存储！

谈到AR/VR应用带来的机会，大家首先想到的可能是处理器、传感器和无线芯片，但其实这种应用还将给存储带来机会。
 
据普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称普冉）设计中心高级总监冯国友在日前于东莞举办的“2023松山湖中国IC创新高峰论坛”上介绍，      新兴应用的兴起将带来存储芯片需求的提升：VR/AR/MR接入ChatGPT新掀AI革命浪潮，将带来AIoT终端设备开机快速启动、蓝牙和Wifi连接等基于NOR Flash的存储需求。
 
成立于2016年的普冉正是这方面的专家。
 
冯国友表示，前身是无锡普冉半导体有限公司的普冉有两大战略方向：一个是存储器，一个是基于存储器延伸芯片的Momory+的。其中，存储芯片有两条核心产品线，包括超低功耗的NOR Flash，这一直是普冉的特色，在业界处于领先地位；第二个产品线是高可靠性的EEPROM。
 
除了存储以外，普冉在32位MCU上也有不错的表现，这就是公司Momory+产品的形态之一。此外，基于存储延伸的特色模拟芯片方面，普冉也取得比较好的成绩。
 
作为公司的拳头产品，普冉在存储方面一直致力于工艺突破，设计技术创新、追求卓越的品质，为客户创造高性能的产品，并为之持续努力。在工业方面，普冉也是业界首家开创性采用SONOS电荷俘获技术实现低功耗存储的厂商。在工业迭代方面，普冉也从第一代55纳米到第二代40纳米，第三代的40nm-E也即将推出。
 

 
早在五年前的松山湖会议上，普冉就推出公司第一代1.65伏到3.6伏宽电压的超低功耗IoT  Flash产品PU系列。五年后，普冉又在松山湖发布了业界首款1.1V超低功耗，超低电压，面对AIOT应用的高性能Flash存储芯片P25Q32SN。
 

 
据冯国友介绍，自2018年发布以来，普冉PU系列目前已累计销售1.8亿颗。从技术上看，新推出的P25Q32SN拥有多系列的特点：
 
支持1.1V电源系统，为业界最低，具备宽电压范围1.05V~2.00V，可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统；采用业界创新工艺和领先制程的40nm SONOS工艺；
 
目前行业最低功耗，1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW，80M DTR 4IO读取功率约为4.2mW，为业界同类产品功耗的一半, 甚至更低；
 
快速读取：416Mbps (STR 4IO)；640Mbps (DTR 4IO) ；
 
16Mb-64M已出货，后续将开发全容量系列；同时支持SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP 等多种封装形式以及 KGD for SiP；
 
可基于极低功耗，为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助，助力元宇宙的国产生态链完善。
 
众所周知，随着像open AI，ChatGPT这些AI软件的兴起，可以提升语言处理、图像处理、音频处理的性能，然后然后助力AR、VR、元宇宙的发展。两者结合可以产生如AR教育和AR软件等新兴应用。但新兴应用、智能设备总量增加以及高算力的增加都会有额外的电力消耗。在用户体验方面，客户也希望可穿戴产品有更好的待机时间，对升级也有一些需求。
 
换而言之，基于新兴的应用，不仅对芯片制程、容量、计算速度、稳定性提出要求，也对低功耗方面提出更高的迭代要求。因此随着制程的升级，普冉一步步推动Nor Flash的电压往低电压走。以跟随主控SoC芯片的电压降低需求，这样做可以简化电源系统，实现单电源供电。
 
“基于市场需求和紧迫性，我们首先推出16兆、32兆、64兆三个容量，然后接下来会在Q3的时候，会推出128兆和256兆，这边现在已经在设计当中，即将要推出。到了第四季度，我们还会推出4兆和16兆，实现全容量的覆盖。”冯国友最后说。