一种名为X-NAND的新型存储，速度飙升

初创公司 Neo Semiconductor 之前推出了 一种名为X-NAND 的技术，该技术将 NAND 裸片切割成多个平行平面以加速 IO。现在它说它已经推出了第二代，以再次将速度提高两倍。

该技术采用具有两到四个访问平面的基本 NAND 芯片。每个平面分为 4 到 16 个子平面，每个子平面并行访问。页面缓冲区用于优化数据吞吐速度。一本小册子解释说，在第 1 代中，总共有四个平面用于 SLC/TLC 并行编程。输入数据被编程到三个平面中的三个 SLC 字线，然后被编程到第四平面中的 TLC 字线。

第二代X-NAND 的工作方式有所不同。两个平面用于 SLC/TLC 并行编程。输入数据像以前一样被编程到三个 SLC 字线，但现在只在一个平面中，然后被编程到第二个平面中的 TLC 字线。这使得数据写入能够以更少的平面并行发生，并且 X-NAND 通过更大容量和更低成本的 QLC 内存提供类似 SLC 的性能。

Neo Semiconductor 表示，X-NAND 第 2 代可提供 3,200MB/秒的顺序写入吞吐量，比基本 SSD 快 20 倍。还有未指定的延迟改进。

它还提供 3 倍的基本随机读/写速度，并且裸片尺寸增加为零。

X-NAND 架构支持 NAND 的 SLC、MLC、TLC、QLC 和 PLC 变体。该IP可由NAND制造商（Kioxia、Micron、Samsung、SK hynix、Solidigm、Western Digital和YMTC）部署，并且与现有技术和工艺兼容，制造成本零增加。至少这是 Neo Semiconductor 的宣传。

到目前为止，我们还没有听说任何 NAND 制造商使用 Neo 的 X-NAND 技术。

Neo Semiconductor 还拥有 X-DRAM 技术，该技术基于更短的位线和更低的电容，从而增加了并行性。它说，这通过 400% 的刷新数据吞吐量提高了 DRAM 性能，降低了所需的电压，并降低了整体功耗。

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