首发3nm后，三星将走向何方？

上周，三星代工厂宣布其 3 纳米节点已进入风险生产阶段。该公告标志着三星和半导体行业的一个重要里程碑。

报道指出，在3nm之前，三星最新的生产工艺技术是他们的 4nm 节点。该节点去年年底提高了产量。这是他们最后一个基于 FinFET 的前沿工艺技术——尽管不是他们计划完全引入的最后一个。展望未来，公司未来的领先技术节点将采用新的 GAA FET 器件架构。三星代工厂计划推出两种 3nm GAA 工艺——3GAE 和 3GAP。

第一代 3GAE 已进入风险生产，将在年底和 2023 年实现量产。与他们的 5nm 工艺技术相比，3GAE 可以降低高达 45% 的功耗，提高性能 23%，并且将面积减少了 16%。

该公司的第二代产品——3GAP——预计将迅速跟进，并于明年年底进入量产阶段。三星表示，与 3GAE 相同的 5nm 工艺相比，3GAP 将提供高达 50% 的功耗降低，性能提升 30%，面积减少 35%。换句话说，与 3GAE 相比，3GAP 应该提供大约 10% 的功耗降低、5.5% 的性能提升和 22% 的面积减少。三星没有明确说明他们比较的是哪个 5nm 节点。该公司推出了 5LPE 工艺，随后是 5LPP。然而，从历史上看，三星将新节点与其第一代版本进行比较（例如，将 4LPE 与 5LPE 进行比较，将 5LPE 与 7LPE 进行比较）。因此，我们假设 3GAE/P 也不例外，这些 PPA 声明针对第一代 5nm、5LPE。

谈到这里，就有几件重要的事情需要说一下。例如在功率方面，从 FinFET 到 GAA 的过渡据称可以降低高达 50% 的功率。对于三星 Foundry，自平面晶体管时代以来，我们还没有看到过如此大幅度的功率降低声明。另一方面，就性能而言，这些数字偏高，但仅略高于一些先前的节点。对于第 2 代 3GAP，性能和功率数据与我们对后续节点的预期基本一致，与 5LPP 或 4LPP 并无太大差异。

3GAP 显然旨在促进面积扩展，而不是引入任何重大的性能/功耗改进。这是我们希望看到的。最初推出具有保守缩放或根本不缩放的新晶体管架构，随后是器件改进和缩放。将面积减少转化为晶体管密度，第一代 3GAE 的密度提高了大约 1.2 倍，然后增加到 3GAP 的 1.54 倍（仍然超过 5nm），这更接近于三星的全节点密度.

鉴于我们没有关于该制程的任何实际数据，所以我们很难给出确切的数字，但粗略估计，3GAE 约为 150 MTr/mm²，3GAP 约为 195 MTr/mm²。目前，我们将粗略估计 3GAE 和 3GAP 的“zone”约为 140-200 MTr/mm²。我们将能够更准确地确定公司开始披露有关流程本身和各种设计规则的更多信息的那些数字。粗略地说，三星的 3GAE 将超过台积电的 N5，但它完全有可能在密度方面与 N4 并驾齐驱。展望明年，3GAP 可能与台积电的 N3 节点相当。

三星称他们的晶体管为多桥沟道 FET (MBCFET)，这是他们自己的纳米片风格。那么三星的 3nm 有多少纳米片呢？答案是 3。他们最初的 3 纳米工艺技术将采用 3 个堆叠的纳米片。以前，在基于 FinFET 的节点上，单元的 PPA 是根据单元中鳍的数量来量化的，而在 3GAA 上，三片是固定的，但是，可以通过栅极宽度微调性能，以获得无限的理论PPA 梯度。三星已经讨论了四种预定义的纳米片宽度，它们提供了密度和性能之间的权衡。

最宽的纳米片变体以 1.6 倍的附加电容提供 1.7 倍的频率。三星表示，这比等效的 FinFET 多鳍有更好的改进。

三星预计 3GAE 将在 2023 年开始生产移动处理器。3GAP 将是 3GAE 的改进版本，并将在明年年底快速增长。三星表示，它希望将其所有生产知识从 3nm 转移到 2nm。为此，三星表示预计 2nm 将在 3GAP 之后的两年内推出。他们的 2 纳米节点称为 2GAP，计划于 2025 年进入量产阶段。

三星表示，2GAP 将包括间距缩放以提高晶体管密度。此外，2GAP 将为总共四个堆叠的纳米片添加另一个纳米片，以提高驱动电流。

三星表示，他们正在为 2GAP 及其他产品进行多项金属化堆叠改进，包括用于低电阻和直接蚀刻金属互连的单晶粒金属。

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