美光推出232层3D NAND Flash
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232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体采用3DTLC 架构,原始容量为1Tb(128GB)。记忆体基于美光CuA 架构,并使用NAND 字符串堆叠技术,彼此顶部建立两个3D NAND 阵列。CuA 设计的232层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体大大减少美光1Tb3D TLC NAND Flash 尺寸,有望降低生产成本订出更有竞争力的定价,或增加利润。
美光并没有宣布新 232 层堆栈的 3D NAND Flash快闪存储器的 I/O 速度或平面数量,但暗示与现有 3DNAND Flash 快闪存储器设备相比,新存储器提供更高性能,对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。美光还强调 232 层堆栈 3D NAND Flash 快闪存储器比上一代产品更节省功耗,更具节能优势。
美光推行芯片远期定价协议,10名客户已签约
美光商务长 Sumit Sadana 在旧金山举办的投资者日上宣布此消息,但强调现阶段仍是“试验”性质,并且拒绝透露可能有多少现有的长期合约客户转移到新机制。
Sadana 说,长约客户以采购量而非价格为基准,但远期价格协议把规模和价格都考虑进去了。针对合约是否可能强制执行的问题,他坦言,议约两方总是对价格有不同看法。
他并表示,美光不打算用降低毛利率的方式推动远期定价协议。“过程中难免有起伏,但最终带来的好处,将超越达成此协议所面临的风险。”
针对营运展望,美光预估长期营收将交出偏高的个位数增幅。DRAM 和 NAND 存储器芯片在未来几年都将有强劲的成长,主要由汽车、数据中心、工业终端市场日益增加的需求带动,这将降低美光对个人计算机 (PC) 和智能手机业务的依赖。
美光执行长 Sanjay Mehrotra 表示,接下来到2025 年之间,DRAM 业务的年成长率预估介于 14% 至19%,NAND 的年成长率更将超过 20%。
Mehrotra 预估,整体存储器产业的规模将能在 2030 年之前达到 3300 亿美元,较 2021 年的1610 亿美元成长逾一倍。存储器芯片占芯片业比重,已经从本世纪初的 10% 上升到 30%。
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