[原创] TOP 10专属代工厂，建了多少晶圆厂？
2022-05-02
14:00:02
来源: 半导体行业观察
全球前十大专属代工厂商主要有台积电、联电、格芯、中芯国际、华虹集团、力积电、Tower、世界先进、东部高科、稳懋。据我们不完全统计，这十家代工厂商共计在全球约拥有60座晶圆厂。
根据各晶圆代工厂商公开数据整理
（制表：半导体行业观察）
台积电目前在台湾拥有四座12英寸超大晶圆厂、四座8英寸晶圆厂和一座6英寸晶圆厂，还有一座台积电（南京）有限公司的12英寸晶圆厂，同时，还有2家100%持股的WaferTech美国子公司、台积电（中国）有限公司的8英寸晶圆厂产能支援。
台积电四座12英寸超大晶圆厂分别是，位于台湾新竹的Fab 12A/Fab 12B、位于台南科学园的Fab 14、中部科学园的Fab 15、位于台南科学园的Fab18。据台积电2021年财报中的数据，1999年台积电首座全规模12英寸晶圆厂Fab 12在新竹科学园兴建；2004年，Fab 14第一期开始量产；2011年，Fab 15一期开始量产；2020年，Fab 18第一期、第二期开始量产。
以上这四座超大晶圆厂的总产能已超过1,000万片十二英寸晶圆。目前提供0.13微米、90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米、16纳米、10纳米、7纳米和5纳米全世代，以及其半世代设计的制程技术。3纳米于晶圆十八厂进行风险试产，预计于2022年下半年量产。此外，为提供更先进的制造技术，亦在Fab 12建置部分产能作为研发用途，以支援2纳米及更先进制程的技术发展。
此外，台积电南京的12英寸晶圆厂Fab 16于2018年开始量产。
2021年，台积电及其子公司所拥有及管理的年产能超过1,300万片十二英寸晶圆约当量。
8英寸晶圆厂分别是，新竹科学园的Fab 3、Fab 5、Fab 8，台南科学园的Fab 6（于2000年开始量产），位于上海松江区的Fab 10，还有位于美国纽约的WaferTech LLC的Fab 11。其中1993年台积电第一座8英寸晶圆厂Fab 3开始兴建。1997年Fab 5开始量产。2000年Fab 6开始量产。
台积电还有一座6英寸晶圆厂是位于台湾新竹科学园的Fab 2，于1992年开始量产。
联电在亚洲拥有12家晶圆厂。其中包括4家12英寸晶圆厂，分别是Fab 12A、Fab 12i、Fab 12X、Fab 12M；7家8英寸晶圆厂，Fab 8A、Fab 8C、Fab 8D、Fab 8E、Fab 8F、Fab 8S、Fab 8N；1座6英寸晶圆厂，子公司联颖光电（Wavetek）六英寸砷化镓晶圆厂。
12英寸晶圆厂的分布情况为：位于台湾台南Fab 12A自2002年以来一直在为客户产品量产，目前正在生产0.13μm- 14nm的产品，月产能为87,000片。Fab 12i位于新加坡，该工厂是公司的专业技术中心，生产工艺在0.13μm-40nm，月产能45,000片。Fab 12X 位于厦门，是华南地区第一家12英寸晶圆代工厂，于2016年开始量产，主要生产工艺为40nm - 22nm的晶圆，月产能5万片。Fab 12M位于日本，是联电从日本富士通半导体公司收购而来，2019年10月被联电完全收购，生产0.13μm-40nm的产品，月产能33,000片。
8英寸晶圆厂的分布情况：Fab 8A位于台湾新竹，生产工艺为0.6μm - 0.18μm，月产能为7万片。Fab 8C的生产工艺为0.35μm-0.11μm，月产能29,000片。Fab 8D主要生产工艺0.18μm - 90nm，月产能32,000片。Fab 8E为0.6μm-0.15μm，月产能35,000片。Fab 8F生产工艺为0.18μm - 0.11μm，月产能32,000片。Fab 8S的生产工艺为0.25μm - 0.11μm，月产能25,000片。Fab 8N是联电旗下子公司苏州和舰的厂区，工艺为0.5μm - 0.11μm，月产能5万片。
联电子公司联颖光电座落于台湾新竹科学园区，是一座六英寸砷化镓纯晶圆代工服务公司。提供III-V族及CMOS specialty业界最完整广泛产品组合的6英寸晶圆代工服务，月产能5万片，生产工艺为5μm - 0.25μm。
据格芯财报显示，格芯现在一共有6家晶圆厂，其中包括4座12英寸晶圆厂，2座8英寸晶圆厂。
12英寸晶圆厂分别是Fab 1、Fab 7、Fab 8、FAB 10。位于德国德累斯顿的Fab 1，年产能为850k，工艺为22nm FDX、40nm NVM、28nm HV 、55nm BCDLite；Fab 7位于新加坡兀兰，最初归Chartered Semiconductor所有，年产能为720K；Fab 8位于纽约马耳他，产能为570kwpa，主要生产工艺有FinFET、NVM、RF-SOI、SiPh；Fab 10位于美国纽约州东菲什基尔，这是从IBM收购得来的，以前被称为 IBM 323 大楼，该厂的产能为150kwpa，主要工艺技术为HP CMOS、RF-SOI、SiPh。
8英寸晶圆厂分别是位于美国柏林顿的Fab 9，该厂年产能为620k，主要生产工艺为RF-SOI、SiGe；另外一家是位于新加坡的GIGA+，产能720kwpa，生产技术主要为BCD、HV、NVM、DDI等。
中芯国际在上海有一座12英寸晶圆厂，可生产12nm FinFET，月产能35K。在北京有两家12英寸晶圆厂，其中Fab phase1 12英寸晶圆厂主要生产0.18µm~55nm的产品，月产能为60K；Fab Phase 2能生产65nm~24nm的晶圆，月产能为100K。
中芯国际上海还有一座8英寸晶圆厂，主要生产工艺为0.35µm~90nm 的晶圆，月产能为135K。位于天津的8英寸晶圆厂，生产工艺为0.35µm~90nm，月产能为180K。位于深圳的8英寸晶圆厂，主要生产工艺为0.35µm~0.15µm，月产能为70K。
华虹半导体是功率半导体和分立器件的代工厂，拥有嵌入式非易失性存储器（“eNVM”）的专业工艺平台，可为电源分立、模拟和电源管理以及逻辑和射频等芯片代工，能在1.0μm至65/55nm技术节点上提供广泛的可定制工艺选择。
华虹半导体目前在上海金桥和张江的华虹集团内运营着三个8英寸晶圆厂，分别是HH Fab1、HH Fab2 和 HH Fab3，每月8英寸晶圆总产能约为180,000片。无锡国家高新技术产业开发区还有一个12英寸晶圆制造厂HH Fab7，计划月产能4万片12英寸晶圆，涵盖从65/55到90nm的技术节点，支持物联网等新兴领域的应用。HH Fab7于2019年正式入驻并投产，已成为中国大陆领先的专用工艺12英寸半导体生产线，也是全球首家专注于功率分立半导体的12英寸晶圆代工厂。
目前拥有2座8英寸及3座12英寸晶圆厂，主要进行先进存储、客制化逻辑IC电路与分离式元件的三大晶圆代工服务。
2008年巨晶电子股份有限公司成立，取得母公司力晶科技的8英寸晶圆厂8A，2015年8英寸晶圆厂8AD厂量产。2016年巨晶电子在竹南科学园区建立八英寸晶圆功率元件产线，此为8B厂。2018年巨晶电子更名为力晶积成电子制造股份有限公司(简称力积电)，这一年8B厂量产。
2019年5月，力积电增资收购母公司力晶科技的12英寸晶圆P1、P2、P3厂及相关营业资产。力晶P1厂是当时台湾第一座为制造先进存储器而量身打造的十二英寸晶圆厂，于2002年10月进入量产。2003年10月力晶兴建第二座12英寸晶圆厂（P2厂），2006年2月兴建第三座12英寸晶圆厂（P3厂）。
Tower Semiconductor专门为制造差异化产品提供定制模拟解决方案，提供尖端工艺技术，包括射频 (RF)、高性能模拟 (HPA)、集成电源管理、CMOS 图像传感器 (CIS)、非成像传感器 (NIS)和混合信号 CMOS，以及微机电系统 (MEMS) 功能。
Tower Semiconductor 在三个地区运营着七个晶圆厂：1个6英寸晶圆厂，5个8英寸晶圆厂，1个12英寸晶圆厂。分别是位于以色列 Migdal Haemek 的两个晶圆厂（6英寸和8英寸），；美国的两个12英寸晶圆厂（加利福尼亚州纽波特海滩和德克萨斯州圣安东尼奥）；并且，通过与位于日本的松下半导体合作，增加了三个晶圆厂（两个 8英寸和一个 12英寸）。
同时，2021年6月，意法半导体将Tower 引入意大利正在建设的Agrate R3 300mm模拟和功率晶圆厂。ST 将共享 R3 的洁净室，Tower 将在总空间的三分之一处安装自己的设备。该工厂预计将于今年晚些时候准备好进行设备安装，并于 2022 年下半年开始生产。运营将继续由 ST 管理，选定的Tower人员将借调到 ST 担任特定角色，以支持晶圆厂认证和产量提升。Tower将在此晶圆厂生产65nm的模拟射频、电源、显示器等产品。
世界先进于1994年12月5日在新竹科学园区设立。1999 年世界先进在台积电协助下，成功导人逻辑产品代工技术。2000年世界先进正式宣布由DRAM厂转型为晶圆代工公司。2004年7月世界先进正式结束 DRAM 生产制造，成功转型为百分之百的晶圆代工公司。主要代工逻辑、混合信号、高压、超高压、BCD、SOI、eNVM等标准化和定制化制程。
世界先进拥有共五座8英寸晶圆厂，其中四座位于台湾、一座位于新加坡，2020年年产能约为290万片8英寸晶圆。2008年世界先进购入华邦电子的8英寸晶圆厂，为世界先进晶圆二厂；2004年世界先进公司购入南亚科技的8英寸晶圆厂房并承接胜普电子之机器设备，为世界先进晶圆三厂；2020年世界先进公司购入格芯公司新加坡Fab 3E8英寸晶圆厂，为世界先进新加坡晶圆厂；2022年世界先进购入友达光电L3B厂厂房及厂务设施，为世界先进晶圆五厂。
1997年东部高科正式进军半导体产业，2001年，东部高科成为韩国最早进军系统半导体代工事业的公司，2008年全球首度研发出0.18um BCDMOS(复合高压元件)工艺技术等，积极攻占专业代工(Foundry)领域。2010年模拟、电源、混合信号等在代工领域居世界首位.
东部高科目前有2家8英寸晶圆厂，在京畿道富川的Fab 1和忠北阴城的Fab 2可生产从90纳米至0.35微米级工艺产品。Fab1以0.15到0.35微米级技术为基础，主要生产模拟及功率半导体等尖端系统半导体。Fab2以90纳米至0.18微米级技术为基础，主要生产CMOS图像传感器，Mixed-Signal等尖端系统半导体。公司每月产能为138,000片。
稳懋半导体成立于1999年，位于林口华亚科技园区，是全球首座以6英寸晶圆生产砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）的专业晶圆代工服务公司。在台湾桃园市拥有三座最先进的生产线与广泛的技术能力，能够提供客户最佳品质的HBT、pHEMT 、BiHEMT 离散元件/微波集成电路与后端制程的晶圆代工服务。在无线宽频通讯的微波高科技领域中，稳懋目前提供两大类砷化镓电晶体制程技术：异质接面双极性电晶体(HBT)和应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT)，二者均为最尖端的制程技术。在光通讯及3D感测领域中，稳懋更以MMIC生产技术为基础，提供光电产品的开发与生产制造。
1999年12月，稳懋的晶圆A厂建厂开始，2000年成功的产出全球第一片6英寸的0.15微米pHEMT MMIC 晶圆。2007年4月，稳懋购置晶圆B厂土地及厂房，2008年4月，晶圆B厂正式量产启用。2015年4月，晶圆C厂正式量产启用。2018年稳懋的年产能已超过三十四万片以上。
未来随着这些专属代工厂的不断增资扩产建新厂，更多新厂还在路上。例如台积电的美国亚利桑那州菲尼克斯市晶圆制造工厂已开工建设，将采用5纳米制程技术，并且还要在日本建厂。2021年格芯宣布了60亿美元的新建工厂计划，包括新加坡40亿美元增建12英寸Module 7H，未来还将在纽约马耳他建设一座年产能50万片12英寸晶圆的新工厂。
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