Fujitsu推出12Mbit ReRAM存储密度居同系列之首-PR-Newswire

日本横滨2022年3月16日 // -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit电阻式随机存取存储器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供评估样品。

链接： https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/reram/spi-12m-mb85as12mt.html

这款新产品是一个非易失性存储器，具有12Mbit的大存储密度，封装尺寸非常小，约为2mm x 3mm。读取电流也极低，读取操作期间平均为0.15mA。因此，将MB85AS12MT安装在频繁进行数据读取操作的电池供电设备中，可以最大限度地减少电池消耗。

该产品具有封装尺寸小和读取电流小的特点，非常适合用于助听器和智能手表等可穿戴设备。

图1：MB85AS12MT封装（顶部和底部） https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI1fl_q04dZo1R.jpg

图2：ReRAM使用实例 https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI4fl_04Y8S95e.jpg

MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的宽电源电压范围内工作。新的ReRAM产品的存储密度是现有8Mbit ReRAM的1.5倍，但二者封装尺寸都是WL-CSP（晶圆级芯片尺寸封装）且引脚分配也一样。新产品可在小封装尺寸中存储大约90页报纸的字符数据。

MB85AS12MT使用的WL-CSP与经常用于具有串行外设接口(SPI)的存储器件的8针SOP相比，可以节省约80%的安装面积。

图3：安装面积比较 https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI3fl_35lI5L7E.jpg

凭借上述功能，这款ReRAM产品可以解决开发可穿戴设备时使用闪存或EEPROM所产生的以下问题。

图4：客户问题和解决方案： https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI2fl_Vt1u8m8L.jpg

Fujitsu Semiconductor Memory Solution将继续开发各种低功耗存储器产品，以满足客户的要求。