来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）
编译自tomshardware
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一份引用半导体行业消息来源的报告表明，据报道，台积电在其 3nm 工艺良率方面存在困难。台湾DigiTimes表示，如果 3nm 良率问题继续存在，许多客户可能会延长 5nm 工艺节点的使用范围。此外，台积电的困境可能会影响 PC 世界最受欢迎的公司（如 AMD 和 Nvidia）的产品路线图。
对报告持保留态度是很重要的。知情人士可能是正确的，但到目前为止，台积电尚未公开承认任何 N3 延迟。相反，它声称它“正在取得良好进展”。
消息来源报告的关键传言是台积电发现其 3nm FinFET 工艺很难达到令人满意的良率。它解释说，台积电“不断修改”其 3nm 产品，代工厂似乎这样做是为了找到良率（无故障芯片的百分比）的最佳点。台积电最新推出的是 N3E，它是台积电 3nm 制造工艺的低成本版本，在 N3 之后一年问世，让业界观察家感到惊讶。台积电还为一些客户生产 N3B 处理器，具体取决于设计和成本限制。尽管台积电的工艺争论如上文所述，并且“不断修正”，但内部人士表示，收益率继续低于预期。
由于 3nm 的问题，一些台积电的客户正在考虑重新调整计划，这意味着改变他们的路线图。此外，苹果和英特尔等客户在未来几个月为保护 N3 工艺芯片付出了很多。像 AMD 这样的其他合作伙伴一定没有感觉到这种奢侈预付款的紧迫性或必要性，因此他们将感受到台积电产量问题的最实质性影响。
DigiTimes 报道称，AMD 是台积电 7nm 系列的最大客户之一，该系列提供 N7 和 N6 工艺制造。AMD 刚刚开始将部件转移到 N6，例如用于笔记本电脑的Ryzen 6000系列处理器。更新的 GPU 也将基于 N6 工艺问世。
AMD 的后续大发布，例如 Ryzen 7000 系列桌面处理器和 Genoa 和 Bergamo 服务器处理器，都将基于 Zen 4 架构，由台积电在 5nm 制造。提醒一下，台积电 5nm 工艺系列将被台积电称为 N5 和 N4 工艺。AMD 曾计划为 Zen 5 和 RDNA 4 继续使用 TSMC 3nm。
该报道还提到了英伟达，称他们将于今年晚些时候重返台积电，并将使用台积电的 5nm 工艺之一用于 RTX 40 系列 GPU，并已支付“数十亿美元”来确保这一生产分配。
该新闻媒体在文章中加入了一些有趣的三星半导体业务。它断言，虽然台积电有各种 3nm 皱纹需要尝试和消除，但三星的进展也很艰难。此外，它评论说三星最近首次亮相的 4nm Exynos 2200 并不是它所戏弄的谷仓风暴。
三星即将推出的 3nm 工艺也面临着巨大的障碍。这家韩国科技巨头转向了 Gate-All-Around FET (GAA) 晶体管架构。这是一个相当大的改变，但它应该使以后的进展更容易。然而，在获得回报之前，它向 3nm 的过渡将更加棘手。
三星即将推出的 3nm 工艺也面临着巨大的障碍。这家韩国科技巨头转向了 Gate-All-Around FET (GAA) 晶体管架构。这是一个相当大的改变，但它应该使以后的进展更容易。然而，在获得回报之前，它向 3nm 的过渡将更加棘手。
半导体先进制程的竞赛，南韩三星正全力发展3 纳米GAA 制程，期望2022 上半年量产，领先台积电2022 下半年量产计画，取得「全球第一」头衔以获得更多客户青睐，逐步拉近与台积电的市占差距。不过南韩媒体引用知情人士消息，尽管三星晶圆代工部门努力迈向下一个先进制程节点，但3 纳米GAA 制程建立专利IP 数量方面落后。
南韩媒体《TheElec》报导，知情人士表示，三星晶圆代工正与客户一起进行产品设计和量产品质测试，目标是超前竞争对手台积电，取得3 纳米GAA 制程「全球第一」头衔。然三星能否真在3 纳米GAA 制程性能和产能满足客户要求，还有待观察。
消息人士对记者表示，三星缺乏3 纳米GAA 制程相关专利，令三星感到不安。因半导体晶圆代工厂商需具大量专利IP，充足专利IP 支援下才能帮助无晶圆厂IC 设计公司缩短开发时程，赢得IC 公司青睐取得订单。就这方面来说，三星还落后台积电。
相对三星晶圆代工缺乏3 纳米GAA 制程相关专利，台积电与大客户苹果、高通甚至三星LSI 系统合作，有更多专利IP 数量。知情人士强调，除了更多专利IP，台积电也非常积极与无晶圆厂IC 设计公司和晶片品牌公司建立IP 生态系统，并注册大量IP，最佳化各客户代工技术。
南韩证券商表示，截至2020 年，台积电取得35,000~37,000 个IP 专利，是十年前十倍以上。相较三星晶圆代工可能有7,000~10,000 个专利IP，远远落后台积电。
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