祝贺，NAND闪存面世35 周年

2022-02-11 14:01:05 来源: 半导体行业观察

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来源：内容由导体行业观察（ID：icbank）编译自servethehome ，谢谢。

今天，铠侠正在庆祝 NAND 闪存诞生 35 周年。具体来说，该公司在 1987 年发明了 NAND 闪存。当时，NOR 占主导地位，对 NAND 是否会成为一种可行的技术存在疑问。但三年半之后，NAND成为了一个改变世界的大市场。

铠侠庆祝 NAND 闪存 35 周年

在 1990 年代，我们还没有 TB 级闪存的手机或 PB 级的 1U 服务器。取而代之的是，在 90 年代中期，闪存在数字答录机中得到了第一次大规模应用。在那里，NAND 取代了磁带。大多数 STH 的读者已经足够大，可以记住录音机时代，但对于那些不记得的人，与其只是点击手机上的语音邮件，还有一个实体盒子。那个盒子通常放在桌面或工作台面上，响了一定次数后会拿起电话，播放一条消息，然后记录来电者想说的话。录音发生在容易出错的盒式磁带上。NAND 移除了移动部件。

铠侠 35 年 NAND 闪存的过去和现在

从那时起，许多设备都采用了 NAND。缺少移动部件以及存储密度和性能使得 NAND 广泛用于各地的设备中。NAND 是从数据中心到边缘设备再到物联网的所有领域的基础技术。以下是铠侠在过去 25 年左右的成本降低水平和密度方面的数据（从发明到答录机使用案例需要很多年时间。）

铠侠 35 年的 NAND 闪存我们走了多远

研发推动了密度并带来了新的工艺节点。随着密度的增加，每 GB 的成本急剧下降。

铠侠2021年的NAND Flash市场份额

这已经从一项在 5 年多的时间里努力寻找用例的技术变成了每年 70B 美元的行业（并且还在不断增长。）

NAND 绝对是当今的一项基础技术。像许多其他技术一样，它曾经被抛弃只是为了成为市场推动者。实际上，NAND 在我们日常生活的方方面面都是一种使能技术，这是值得花时间认识的重要行业里程碑之一。

三星预计最快年底推出200 层堆叠以上NAND Flash

外媒报导，全球半导体企业为了先量产200 层堆叠以上NAND Flash 快闪记忆体，展开激烈竞争。南韩三星计划2022 年底或2023 上半年推出200 层堆叠以上NAND Flash 记忆体，2023 上半年开始量产供应市场。

南韩媒体《BusinessKorea》报导，三星电子原计划2021 年底量产176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体，但考虑到那时市况，最后决定延后到2022 年第一季。但美商记忆体大厂美光抢先量产176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体，市场人士预测，三星将加速200 层堆叠以上NAND Flash 快闪记忆体量产步伐，以夺回美光抢走的技术领先头衔。

三星预计128 层堆叠单片记忆体上再叠96 层，共推出224 层NAND Flash 快闪记忆体。产品推出后与176 层堆叠产品相较，224 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体生产效率和数据传输速度可提高30%。

目前除了三星积极布局200 层堆叠以上NAND Flash 快闪记忆体，其他还有美光和南韩记忆体大厂SK 海力士，也在加速200 层以上NAND Flash 快闪记忆体开发，预计将是另一个NAND Flash 快闪记忆体的决战领域。

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祝贺，NAND闪存面世35 周年

NAND 绝对是当今的一项基础技术。像许多其他技术一样，它曾经被抛弃只是为了成为市场推动者。实际上，NAND 在我们日常生活的方方面面都是一种使能技术，这是值得花时间认识的重要行业里程碑之一。

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