这种存储，有望成为DRAM的替代者？

2022-01-11 14:00:21 来源: 半导体行业观察

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近日，英国兰开斯特大学物理与工程系的科学家发表了一篇论文，详细介绍了UltraRAM量产方面的突破。由于其极具吸引力的品质，研究人员多年来一直在考虑这种新型存储器类型，而最新的突破意味着硅晶片上的大规模生产可能在眼前。UltraRAM 被描述为一种内存技术，它“将闪存等数据存储内存的非易失性与 DRAM 等工作内存的速度、能源效率和耐用性相结合。”

重要的是，硅上的 UltraRAM 可能是一种通用内存类型，有朝一日将满足 PC 和设备的所有内存需求（RAM 和存储）。然而，我们已经看到一些类似的被预示的想法被搁置了。电阻式 RAM、磁阻式 RAM 和相变存储器并没有产生一些初步报告所预见的影响。此外，我们已经看到英特尔的 Optane 内存技术填补了 DRAM 和存储之间的空白，但并未完全弥合鸿沟。英特尔去年这个时候推出了用于台式电脑的 Optane 解决方案。

UltraRAM 背后的基础科学在于它利用了化合物半导体的独特特性，这通常用于光子器件，例如 LED、激光器和红外探测器，现在可以在硅上批量生产。研究人员声称，最新的硅化身优于在砷化镓半导体硅片上测试的技术。

UltraRAM 的一些推断数字是，它将提供“至少 1,000 年的数据存储时间”，其快速切换速度和编程擦除循环耐久性“比闪存好一百到一千倍”。将这些品质添加到类似 DRAM 的速度、能源效率和耐用性上，这种新颖的内存类型听起来很难让科技公司忽视。

如果您在上面几行之间阅读，您会发现 UltraRAM 旨在打破 RAM 和存储之间的鸿沟。因此，理论上，您可以将其用作一次性解决方案来满足这些当前单独的需求。在 PC 系统中，这意味着您将获得一大块 UltraRAM，例如 2TB，这将满足您的 RAM 和存储需求。

这种转变，如果它发挥其潜力，将是推动流行的内存处理趋势的好方法。毕竟，你的存储就是你的记忆——有了 UltraRAM；它是相同的晶圆。当一个用例取得成功时，看到 UltraRAM 部署扩展到从服务器到 PC，再到智能设备、控制台等，也就不足为奇了。新的内存技术是否足够快，可以将专业的快速内存类型排除在外，比如当代 GDDR 和 HBM 技术，还有待观察。

UltraRAM 定价可能是另一个棘手的问题。如果它没有价格竞争力，那么它的潜在采用率和变革能力就会受到阻碍。这一经济因素还有待观察，但研究人员对 UltraRAM 的硅量产突破感到高兴，使其易于使用。

兰开斯特大学的研究人员表示，正在进行进一步的工作以提高质量、微调制造工艺以及实施和扩展 UltraRAM 设备。

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