三星宣布新晶体管：1nm后的选择？

2021-12-12 14:00:10 来源: 半导体行业观察

点击

来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。

IBM 和三星声称他们在半导体设计方面取得了突破。

在旧金山 IEDM 会议的第一天，两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。对于当前的处理器和 SoC，晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。相比之下，垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 彼此垂直，电流垂直流动。

据 IBM 和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许他们绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。更重要的是，由于电流更大，该设计减少了能源浪费。他们估计 VTFET 将使处理器的速度比采用 FinFET 晶体管设计的芯片快两倍，功耗降低 85%。

IBM 和三星声称，这一过程可能有朝一日允许手机一次充电使用整整一周。他们表示，它还可以使某些能源密集型任务（包括加密采矿）更加节能，因此对环境的影响较小。

IBM 和三星尚未透露他们计划何时将该设计商业化。他们并不是唯一一家试图突破 1 纳米屏障的公司。英特尔在七月曾表示，它的目标是到 2024 年完成埃级芯片的设计。该公司计划使用其新的“英特尔 20A”节点和 RibbonFET 晶体管来完成这一壮举。

三星计划2025年量产2nm

在先进半导体工艺上，台积电目前是无可争议的老大，Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额，三星位列第二，但份额只有台积电的1/3，所以三星押注了下一代工艺，包括3nm及未来的2nm工艺。根据三星的计划，3nm工艺会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。

再往后就是2nm工艺，三星高管日前再次表态2nm工艺会在2025年量产。

不过具体的工艺指标还没公布，只知道还是GAA晶体管，跟3nm一样基于MBCFET（多桥沟道FET）技术，这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠，而且兼容现在的CMOS工艺，共享设备与制造方法，降低了新技术的升级成本。

三星的2nm工艺是一大进步，创新亮点不少，而且跟现在已有的2nm技术不同——此前IBM全球首发了2nm芯片，指甲盖大小的面积就可以集成500亿晶体管，相比7nm工艺提升了45%的性能或者减少75%的功耗，预计2024年量产。

三星也参与了IBM的2nm技术，然而自己量产的2nm技术跟IBM的2nm并不一样，后者需要新的生产方法，三星还会依赖自家研发的2nm技术。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2886内容，欢迎关注。

三星宣布新晶体管：1nm后的选择？

三星计划2025年量产2nm

相关文章

最新新闻

热门文章本日 七天 本月

热门评论

热门搜索

三星宣布新晶体管：1nm后的选择？

三星计划2025年量产2nm

相关文章

最新新闻

热门文章 本日 七天 本月

热门评论

热门搜索

热门文章本日七天本月