比利时imec在2021年11月举办了针对日本的技术介绍会议一一ITF(imec Technology Forum) Japan 2021，在会议上imec披露了当下的研发成果和未来的计划。之前都是在东京的某家酒店举行会议，今年受到疫情影响，在线举行。
图1：ITF Japan 2021的演讲。出自笔者截图。
在上世纪末，就已经出现“摩尔定律”已经终结的悲观论调。但是，imec为了不让摩尔定律（是半导体产业增长的原动力）终结，一直在致力于提高工艺微缩化的集成度。而且，imec认为，在2020年之前的五十多年时间里，摩尔定律一直都在发挥作用。未来，通过导入微缩化、新型元件结构、新材料，以及堆叠芯片内晶体管和3D封装（堆叠芯片），摩尔定律还会继续发挥作用。
图2：在过去五十年里，半导体芯片上晶体管数量的变迁。摩尔定律一直存在。（图片出自：mynavi）
首先，作为2D的微缩化方向的努力，imec此次展示了未来十年的逻辑半导体工艺、电子元件的长期技术蓝图。
一直以来，微缩化的标准都是以纳米为单位表示的，在2025年以后，即进入以“埃（Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米 = 1^(-10)米）”来表示的时代。届时逻辑半导体工艺、元件实用化的蓝图如下：2025年为“A14（14Å=1.4纳米）”、2027年为“A10（10Å=1nm）”、2029年为“A7（7Å＝0.7纳米）”。
这与英特尔在2021年7月披露的逻辑半导体工艺技术蓝图如出一辙，即2024年为“Intel2（2纳米）”、2025年为“Intel 18A（18 Å）”（注：此处为英特尔公司内部叫法，可以看出英特尔试图追赶在微缩化方面领先的TSMC）。Imec展示的逻辑半导体元件的技术蓝图上记载了“Industry Timeline”，还展示了先进半导体企业开始生产的年份。
另外，imec的长期方向在于研发先进工艺，而不是先进半导体企业从事的生产工艺。即，为了实现1纳米以下的微缩化元件，imec已经在研发工艺、材料。将研发业务委托给imec的全球先进半导体企业与诸多设备材料厂家一起，外派了诸多技术人员、研发人员到比利时的imec园区，从事合作研发。
之前，人们使用最小加工尺寸、最小线宽、MOS晶体管的栅极（Gate）长等来表示逻辑工艺的微缩化，如今，各家公司不再将微缩化的程度拘泥于指标性数字，实际上集成电路上并没有表示其长度的地方。因此，TSMC一直以来的“Nx（比方说，不说4纳米，而是说N4）”、Intel最近提出的“Intel x（比方说，不说4纳米，而是说Intel 4）”，这些名称上都没有提到长度单位。
从数字来看，每个代际（技术节点）都是上一代际的0.7倍左右（如，3纳米、5纳米、7纳米、10纳米。。。。。。），这是英特尔自1970年制造出全球首个1K DRAM以来的传统，长度为上一代际的0.7倍，面积就会成为上一代际的二分之一。如今，代际已经不再用长度来表示，因此面积也不一定就是上一代际的二分之一。
比方说，从下图3中可以看出，PP为多晶硅（Polysilicon）排线线距（Pitch）的实际长度，MP为第一段金属排线层的线距的实际长度。这样，各家公司对于逻辑元件微缩化的指标就大相径庭，且他们的指标远远小于线距。
图3：imec的逻辑工艺·元件的微缩化技术蓝图。时间轴与先进半导体企业的生产元年一致，imec已经开始研发1纳米（10Å）以下的工艺。imec的目标是在三年内，将High NA EUV设备从试做到导入量产。（图片出自：mynavi）
就逻辑元件而言，随着微缩化发展，其晶体管的结构从长年以来的平板型（Planner）结构到FinFET结构，在2纳米以后，TSMC、英特尔正试图采用GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）纳米片（Namo-sheet）压层结构。英特尔称之为“RibbonFET”。此外，三星率先宣布已经从3纳米过度到GAA纳米层（三星称之为“MBCFET(Multi Bridge Channel FET)”）。
就14 Å节点而言，imec提案了原用于CMOS的Forksheet结构（将p型和n型纳米片晶体管成对排列，由于类似于用餐的叉子，所以命名为Forksheet），并一直在研发。就10Å节点而言，imec试图采用CEFT结构（Complementary FET，在硅表面垂直堆叠P-channel FET和N-channel FET），制作CMOS。在1纳米（10Å）以及以下节点，计划采用原子形状的沟道（Atomic Channel），其沟道采用厚度为1~多个原子层的2D材料。此外，imce所指的2D材料为半导体单层过渡金属二硫属化物（Dichalcogenide），化学式为MX
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。此处的M为Mo（钼）、W（钨）等过渡金属元素。X为硫、Se硒、Te（碲）等硫硒碲化合物（16类元素），imec通过采用2D材料和High NA EUV，开拓了1纳米以下的工艺。
图4：对晶体管结构变化的预测，imec正在研发以上所有的晶体管结构。（图片出自：mynavi）
目标是在High NA EUV试做机出货三年后实现量产
下面我们来看看EUV 光刻的未来技术蓝图。就2纳米工艺而言，其使用的是继7纳米、5纳米、3纳米之后的第四代EUV光刻技术，且14Å就在其延长线上。
但是，据预测，在14Å以后，将不再使用NA=0.33的EUV，而是采用NA=0.55的High NA EUV光刻。Imec和ASML已经合作在荷兰设立“imec-ASML Joint High NA EUV Research Laboratory”，由ASML在2023年导入High NA试做一号机。就EUV专用涂覆显影设备（coater developer，即clean truck）而言，已经决定由独霸市场的东京电子来提供。
ASML在2010年出货了用于首代量产技术研发的EUV曝光设备一一“XE:3100”，十年后，量产设备“NXE:3400”被用于逻辑半导体的量产产线。就High NA EUV曝光设备而言，目标是在2023年出货试做设备（EXE:5000），在三年后的2026年导入量产产线，技术人员正在imec-ASML的合作研究所里集中推进研发。
通过将原本平铺的晶体管垂直堆叠，就可以使集成电路的晶体管数量增多，这是一个方向；此外，通过采用3D封装技术（堆叠半导体芯片或者晶圆），来进一步增加晶体管数量的研发也在如火如荼地进行。TSMC在日本成立3DIC研究中心的目的似乎也在于此。
就imec而言，其研发水平远远领先于业界5一一8年的时间，其目标是先于业界实现某些技术，而且这些研究大部分是与合作伙伴共同合作的。
图6：半导体企业的3D Interconnect密度、imec的推移表、未来的预测。（图片出自：mynavi）
此外，imec在ITF Japan 2021上 做了新的研究主题一一《可持续发展的半导体技术、系统（Sustainable Semiconductor Technology and Science: SSTS项目）》。
在这个项目中，预测了生产半导体芯片时对环境造成的影响（电能消耗、化学药品、材料、超纯水、气体等其他消耗），通过详细分析碳足迹(Carbon Footprint，指的是一个人或者团体的“碳耗用量”)，力求实现降低生产IC时的环境负荷。很期待半导体厂家（如生产设备厂家、材料厂家、晶圆代工厂）等企业共同加入研发，最近Apple（既是半导体Fabless、也是半导体客户）也加入了研发，作为一项可以响应全球“碳中和（Carbon Neutral）”目标的活动，而被业界所熟知。
即，imec希望通过以上措施，以支持全球半导体供应链削减 “碳足迹”。
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