抢夺SiC晶圆，罗姆与昭和电工签订多年合约
2021-09-14
14:00:48
来源: 半导体行业观察
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据日媒报道，昭和电工株式会社于2021年9月13日宣布，与ROHM签订了功率半导体用SiC（碳化硅）外延片的多年长期供应合同。报道指出，本次签订的合同是向制造SiC功率半导体的ROHM供应昭和电工制造的SiC外延片。
此外，昭和电工表示，双方将进一步加强技术合作，以提高SiC外延片的特性均匀性和低缺陷密度”）。
昭和电工表示，“作为全球最大的碳化硅外延片制造商，我们以‘一流’为座右铭，为快速扩张的市场提供高性能和高可靠性的产品，并减少产生的功率损耗和热量。”推广节能型碳化硅功率半导体。”
今年八月，昭和电工宣布，将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日圆资金，其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。
昭和电工指出，藉由公募增资、第三者配额增资，以及视需求动向将实施超额配售(Over allotment)，预估最高将发行3,519万股新股、约相当于现行已发行股数的2成比重，最高将筹得1,093亿日圆资金。
在上述1,093亿日圆资金中、约700亿日圆将用于增产半导体材料。就细项来看，昭和电工计划投资58亿日圆增产使用于功率半导体的SiC晶圆以及锂离子电池材料、增产工程预计于2023年12月完工；投资59亿日圆增产电子材料用高纯度气体、预计2023年12月完工；投资232亿日圆提高研磨液(CMP Slurry)产能及改善质量、预估2023年12月完工；投资248亿日圆增产使用于印刷电路板(PCB)的铜箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，预计2024年3月完工。
日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)6月10日公布调查报告指出，自2021年以后，在汽车/电子设备需求加持下，预估碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等次世代功率半导体市场将以每年近20%的速度呈现增长，2030年市场规模预估为2,490亿日圆、将较2020年跳增3.8倍(成长约380%)。
其中，因汽车/电子设备需求加持，来自中国、北美、欧洲的需求扬升，预估2030年SiC功率半导体市场规模将扩大至1,859亿日圆、将较2020年跳增2.8倍；GaN功率半导体市场规模预估将扩大至166亿日圆、将较2020年飙增6.5倍；氧化镓功率半导体市场规模预估为465亿日圆。
据日经在年初的报道，日本各家电子零件厂加快对EV相关零件进行增产投资，其中Rohm计划在今后5年内投资600亿日圆、将使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行的5倍。
报导指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半导体的研发上居领先，于全球SiC功率半导体市场握有2成市占率，和英飞凌( Infineon )、STMicroelectronics并列为全球主要供应商之一，而其产能扩增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生产的半导体材料也以经由汽车零件厂的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆变器(inverter)上。
早在几年前，罗姆就规划将在旗下生产子公司「ROHM Apollo」的筑后工厂(福冈县)内兴建新厂房，预计于2019年2月动工、2020年12月完工。按照罗姆于SiC电源控制芯片事业策略说明会上表示，公司将投资约200亿日圆，于2020年倍增SiC电源控制芯片产能，而罗姆也考虑于宫崎县进行增产投资，在2025年3月底前累计将投资600亿日圆，届时将SiC电源控制芯片产能大幅扩增至2016年度16倍。
而在早前，ROHM最近举行了开幕式，宣布将于2019年2月开始在ROHM Apollo的Chikugo工厂完成新建筑的竣工，以增强SiC功率器件的生产能力。
新大楼是一家最先进的环保工厂，其生产设施采用了许多节能技术，其中100％的电力来自可再生能源。
此外，我们通过引入各种灾难对策来增强BCM（业务连续性管理）系统。从2021年1月起，我们将开始安装生产设备并构建能够满足SiC功率器件中长期增长需求的制造系统。
据报道，自2010年以来，ROHM一直在大量生产包括SiC SBD和MOSFET在内的SiC功率器件，该公司在技术开发方面继续保持行业领先地位，例如推出了业界首款全SiC功率模块和SiC沟槽MOSFET。同时，罗姆拥有一个集成的生产系统，致力于通过增加硅片直径和利用最新设备来提高生产效率，同时还减少了制造对环境的影响。
除了这栋新建筑外，罗姆集团旗下生产SiC硅片的SiCrystal GmbH计划从下一个财年开始使用100％可再生能源运营，从而将工厂购买的电力所产生的CO 2排放量降至零。结果，所有主要的SiC芯片生产工艺都将使用环保的可再生能源。
除了罗姆外，其他日本厂商也都在投入到电动汽车产业中。
据了解，富士电机( Fuji Electric )将投资约1,200亿日圆扩增日本国内外工厂产能、增产功率半导体；东芝( Toshiba )计划在2023年度结束前投资约800亿日圆、将功率半导体产能提高3成；日本电产( Nidec )将砸下2,000亿日圆在欧洲兴建EV用驱动马达新工厂。TDK将在三年内投资超过5,200亿日元，以增加蓄电池和其他产品的产量。
日厂增产EV相关零件，主要是因为全球各国推出减碳政策、推升EV需求。根据波士顿顾问集团(Boston Consulting Group；BCG)的试算，2025年EV等电动化车款占全球新车销售量比重有望自2020年的10%扬升至31%水准。
日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)2020年6月5日公布调查报告指出，2030年全球功率半导体市场规模预估将扩增至4兆2,652亿日圆、将较2019年(2兆9,141亿日圆)大增46.4%。
其中，2030年碳化硅(SiC)制功率半导体全球市场规模预估将扩增至2,009亿日圆、将达2019年(436亿日圆)的4.6倍；氮化镓( GaN )产品市场规模预估为232亿日圆、将达2019年(19亿日圆)的12.2倍。
今年五月，英飞凌科宣布与日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化硅材料 （SiC）。英飞凌因此可获得更多基材，以满足对 SiC 型产品日益渐增的需求。
英飞凌与昭和电工之间签订2年期的合约，且可续约。英飞凌拥有业界最大用于工业应用的 SiC 半导体产品组合。
碳化硅（SiC ）可提供高效率与强固的功率半导体，特别专注于光电、工业电源供应器和电动车充电基础设备等领域，应用范围广泛，商机可期。
英飞凌 表示，英飞凌提供多样化且快速扩展的产品组合，持续深耕SiC 半导体市场，成为市场的领导者，该市场预计在未来5年内的年增长率可达 30～40%。
英飞凌强调，与昭和电工合作将扩大晶圆供应商基础，也是在这个持续成长市场中多源策略重要的一步，将稳固地支援达成中长期的目标。此外，也计划在策略开发材料方面与昭和电工合作，以提升质量并降低成本。
昭和电工表示，很自豪能够为英飞凌提供同级最佳的 SiC 材料以及最先进的磊晶技术，公司目标是持续改进 SiC 材料的质量并开发新一代技术，也非常重视英飞凌是出色的合作伙伴，对于未来双方的合作发展正面以待。
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