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虽然围绕半导体短缺的叙述有很多令人兴奋的事情，而且 200 毫米和 300 毫米的晶圆厂都已满载，但有一个很大的情节漏洞，那就是 FinFET 时代。
英特尔开启了 FinFET 时代，但此后不久，他们就失去了 FinFET 的主导地位。2009 年，英特尔在英特尔开发者大会上推出了 22 纳米 FinFET 晶圆，并宣布芯片将于 2011 年下半年上市。正如他们所说，第一款 FinFET 芯片（代号 Ivey Bridge）于 2011 年 5 月正式发布. 因为在宣布之前，英特尔并没有泄露细节，因此这个新闻引起了全球的震惊。
我们可以说，英特尔 22nm 绝对是一种真正的变革性工艺技术。
英特尔随后在 22nm 和 14nm上受到挑战（双图案 FinFET），这使得代工厂能够迎头赶上（TSMC 16nm 和三星 14nm）。三星在 14nm 上做得非常好，赢得了相当多的业务，包括苹果 iPhone 的一部分。
台积电则对 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的双图形化之后，台积电又加入了 FinFETs 并称之为 16nm。密度小于Intel 14nm因此名称不同。三星 14nm 与台积电 16nm 的密度相似，但三星走低路，假装与英特尔竞争。这就是为什么流程节点现在是营销术语，我认为。
这一切都始于我所说的 Apple 半步流程开发方法。台积电每年都会为苹果发布新的工艺版本。在此之前，过程就像美酒，在摩尔定律准备好之前不能开瓶。半步继续，台积电将部分 EUV 添加到 HVM (7nm) 的工艺中，然后以非常可控的方式将更多 EUV 层添加到 5nm 和 3nm，从而实现卓越的良率学习和破纪录的工艺斜坡。
Intel 14nm也是“Intel vs TSMC”营销战开始的时候。英特尔坚持认为台积电 20nm 是失败的，因为它不包括 FinFET，代工厂不能跟随英特尔，因为他们是 IDM，而台积电只是一家没有内部设计经验的代工厂。
正如我们现在所知，英特尔在很多层面上都错了。首先，代工业务是一项服务业务，拥有庞大的合作伙伴生态系统，这使 IDM 代工厂处于明显的劣势。看看英特尔 IDM 2.0 战略如何实现会很有趣，但大多数猜测是它会比之前的尝试更难失败，但我离题了。
现在让我们快速浏览一下从 2019 年第一季度和随后的第一季度开始的台积电 FinFET 工艺收入步骤：
如上图所示，2019 年第一季度，FinFET 占台积电收入的 42%。在 2020 年第一季度是 54.5%，在 2021 年第一季度是惊人的 63%，您可以预期这种增长会持续下去，原因有以下三个：
(1) 台积电保护他们的 FinFET 工艺配方，因此没有二次采购。
(2) FinFET 意味着以更低的功率获得更高的性能，鉴于世界面临的环境挑战，更低的功率至关重要。
(3) 台积电正在建设大量的 FinFET 产能（3 年 CAPEX 为 1000亿美元），并且目前半导体短缺的说法非常重要。
一句话：台积电正在努力推动其 500 多个客户进入 FinFET 时代，这将再次改变代工格局。
万亿美元的问题是：在不久的将来，成熟的（非 FinFET）节点会发生什么？更重要的是，没有转向 FinFET 的代工厂会怎样？
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