半导体行业又一里程碑，英诺赛科苏州一期项目正式投产

2021-06-09 11:10:23 来源: 互联网

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6月5日，英诺赛科(苏州)半导体有限公司在汾湖高新区举行量产暨硏发楼奠基仪式。英诺赛科苏州一期项目预计投资80亿元人民币，2020年完成厂房建设及设备搬入，即日起开始大规模量产，成为世界上第一家实现8英寸硅基氮化镓量产的企业。投产后产能将逐步爬坡，2021年底产能可达6000片/月，2022年底项目全部达产后苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值150亿元，利税超15亿元。

上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源，英诺赛科董事长骆薇薇，苏州市人大常委会副主仼沈国芳，吴江区委书记李铭，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武，长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东，苏州市工业和信息化局局长万利，英诺赛科总经理孙在亨，吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记、管委会主任张炳高，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，吴江区委常委、副区长钱宇，韩国SK集团大中华区总裁吴作义，招银国际首席投资官王红波等领导和嘉宾莅临本次量产暨研发楼奠基仪式盛典，共同见证了这一历史性的时刻。

英诺赛科（苏州）半导体有限公司总经理孙在亨表示，半导体未来十年增长最快的行业，随着苏州工厂的成功量产，英诺赛科已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。

国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武表示，英诺赛科苏州生产基地量产暨研发楼奠基，是中国在化合物半导体领域的重要里程碑，英诺赛科在氮化镓领域取得了优异的成绩，公司今后应不断创新组织、全心部署将化合物半导体做得更好，不仅为当地经济发展做出贡献，也为国家氮化镓产业乃至化合物半导体产业发展做出新的更大的贡献。

吴江区委常委、副区长钱宇在仪式上致辞，对英诺赛科苏州氮化镓生产基地的通线投产及研发楼的奠基表示祝贺。

招银国际首席投资官王红波表示，第三代半导体产业的发展才刚刚开始，需要所有产业所有的合作伙伴携手开拓生态。英诺赛科苏州氮化镓生产基地正式量产将是氮化镓产业发展史上的一个重要里程碑，同时也将引领全球第三代半导体的发展。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示，英诺赛科8英寸硅基氮化镓产品已经走在了世界的前列，而十四五规划也明确提出了集成电路、碳化硅、氮化镓等重点发展领域，希望英诺赛科能够借助苏州生产基地的规模优势，在未来的氮化镓市场发挥龙头作用，带动产业发展。

量产代表着企业迈上了高速行驶的快车道，研发则是企业前行的基础。与量产仪式一同举行的还有“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，以及硏发楼奠基仪式。研发楼的奠基，预示着未来将有更多创新成果在此诞生。

英诺赛科(苏州)半导体有限公司成立于2017年10月,注册资本27亿元,是家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业。公司采用DM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,产品涵盖30-900V功率半导体器件、C及射频RF器件,是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。凭借雄厚的科研实力及先进的技术水平，英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗指导的第三代半导体项目;同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点硏发项目，截止目前,公司员工超1000名,国内外核心专利申请超500项。

责任编辑：sophie

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