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关于摩尔定律的消亡，近年来有很多讨论。连续工艺节点的场效应晶体管密度的增加已从早些年的每2.5年增加一倍的速度降下来。摩尔在几十年年前发表的评论的经济性质也受到了影响——每个晶体管的成本降低也有开始降速。
由于多方面的要求，传统的技术缩放模型已变得更加复杂，更多的技术也开始被引入。例如替代沉积和蚀刻设备、新的互连和介电材料。与此同时，行业越来越依赖于新的设计技术协同优化（DTCO）集成方法。
顺便说一句，各种2.5D和3D多die封装产品的出现导致使用了
“
More than Moore
”
的出现。这些封装中管die功能和工艺选择的潜在多样性为实现有效 密度和成本提供了其他折衷，这是摩尔定律的基础。
尽管有关于摩尔定律即将死亡的讨论不绝于耳，但仍存在对新设备的巨大研发投资，这些新设备将继续提供改进的性能，功率和面积。
在最近由SEMI主办的的高级半导体制造会议（ASMC）上，Intel的Design Enablement副总裁兼总经理Gary Patton的主题演讲，他概述了这些研发工作。同时他在有关
“
摩尔定律
”
的演讲对未来的技术功能提出了乐观的看法。
Gary介绍了向全栅极（GAA）器件的过渡，该器件有望成为FinFET的直接后继产品。（随着重新引入单个晶体管宽度又是设计参数的设备，可能需要重新解释晶体管/ mm ** 2密度度量。）
作为CMOS以外的潜在长期过渡，正在进行许多研究计划 ，例如2D半导体材料（的阵列），例如MoS2，WS2和WSe2。
在Gary的演讲中，特别值得注意的是对工艺技术开发领域的描述，该领域可能没有得到应有的考虑。例如异构半导体材料的3D单片集成，用于制造优化的nFET和pFET器件。这种方法提供了持续的器件缩放，成熟工艺制造技术的集成，并且建立在现有（基于CMOS）电路设计经验的基础上。
在详细介绍某些整体式3D可能性之前，他对异质材料结合的描述也是很有见地的。
Oxide Bonding和Donor Wafer Cleaving
单片3D集成的目标是为设备制造提供多种堆叠的半导体材料。在主晶圆中制造晶体管的子集。随后，将（不同半导体组成的）
Donor Wafer
结合到主体上，并在主体顶部上提供薄材料层以用于后续的器件处理。下图说明了晶圆处理流程。
全厚度主晶圆提供机械支撑；薄的doner层不会显着增加整体厚度，从而可以使用现有的处理设备和制造流程。（正如不久将要讨论的那样，用于处理doner层设备的热预算受到限制，以免对现有的主机设备特性产生不利影响。）
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主晶圆接受薄介电层的沉积（例如，SiN和SiO2的化学气相沉积）
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使用优化的注入能量和剂量，对一个（300mm）doner晶圆进行H +（质子）注入
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在键合host和doner晶圆之前，采用特定的硅片表面清洁化学方法。两个硅片表面必须是亲水的，“原子上光滑的”并且具有高密度的化学键合位点（以防止在界面处形成微孔）。
在特殊的对准器（带有双晶片卡盘）中，主硅片和Doner硅片彼此相对放置，对准并接触。在初始的晶圆对晶圆界面键合稳定之后，释放Doner卡盘。
然后，对复合材料进行热退火步骤。该退火具有两个关键功能： 加强键合界面，并允许注入的氢在半导体晶体中扩散，并成核形成H2。
在Doner中会形成一个非常薄的H2层，其深度等于H +注入后最高的硅片位错点。该H 2层在doner硅片晶体内引入了结构上较弱的界面。
多年来，这种用于氧化物键合和Doner层转移的技术已用于绝缘体上硅（SOI）晶片制备的生产中。（对成核退火步骤中H +扩散，H2层形成以及对doner硅片晶体的结构影响的深入了解仍然是研究的活跃领域。）
Gary的演讲重点介绍了英特尔研究部门正在将这一层转移技术应用于3D单片集成的两个领域，以进一步扩展摩尔定律。
先进工艺开发面临的问题之一是Si中相对较弱的空穴迁移率，尤其是在较高的空穴自由载流子密度和电场下。
当前的工艺技术在pFET器件通道中引入了压缩机械应力，以提高空穴迁移率。最近的进步致力于直接在pFET器件通道中利用化学计量的Si和Ge的组合-即Si（x）Ge（1-x）-来利用Ge中更高的空穴迁移率。
英特尔研究小组一直在使用3D单片集成技术，该技术使用键合在Si主硅片顶部的Gedoner层，如下图所示。
在这种情况下，在用于nFET的主晶圆上制造了FinFET器件结构，而在Ge doner层中的pFET使用了GAA拓扑。如上所述，选择nFET高K，金属栅极，源/漏掺杂外延和接触金属的工艺流程和材料选择，使其与Ge施主层的后续热处理和pFET的制造兼容（例如， <600C）。
在制造GAA pFET源极/漏极Epi，器件氧化物和金属栅极（使用替换栅极工艺）以及源极/漏极触点之后，在两个晶体管层之间形成通孔。
上面还显示了一个300mm晶圆上的Ge doner层厚度的示例分布图，显示了整体层转移过程的出色均匀性（整个晶圆上的变化小于3nm）。
下图描述了3D单片反相器逻辑门（低至VCC = 0.5V）的最终3D横截面，（短通道）Si nFET和Ge pFET特性，以及Vout与Vin传输特性。Ge pFET的离子对Ioff曲线说明了应变Si器件的改进特性。
使用垂直堆叠在Si层顶部的Ge层进行异构集成为CMOS逻辑实现提供了独特的机会，有助于扩展摩尔定律。
上一节介绍了一种在Ge pFET中实现改善的空穴迁移率的方法。出现高级工艺开发问题的另一个领域是需要与常规CMOS逻辑集成的高效RF级设备。对于5G（及更高版本）应用的需求，对于mmWave功率放大器，需要最佳的器件截止频率（Ft）和最大振荡频率（Fmax）响应，对于低噪声放大器具有相应的低噪声特性，并且对于RF开关具有快速的开关速度。增强型GaN器件出色的Ioff和低Ron吸引了高效集成稳压器设计。
Gary强调了英特尔研究团队为开发GaN器件与常规Si CMOS电路的单片异构集成所做的工作。
下图说明了在主硅片（Si衬底）上的外延层中制造各种GaN组件的制造-例如，增强型和耗尽型nFET，肖特基栅极FET和肖特基二极管（无高电平）。-k栅极氧化物电介质）。还显示了最终结构的横截面。
在这种情况下，doner硅片是Si，用于制造nFET和pFET器件，就像用于模拟功能，数字信号处理和逻辑/存储器一样。（P沟道GaN器件的制造极具挑战性。）
以前的Si nFET和Ge pFET单片集成的电路级CMOS集成需要一致的（且具有攻击性）设计规则，而（RF）GaN器件和（CMOS）Si器件的独特应用使这两种技术脱钩。与Si FinFET相比，GaN器件的尺寸可能与FET相差很大（例如，对于Ron非常低，W> 10um），或者具有更长的沟道长度以支持高压应用。
与在键合doner Ge pFET层之前制造的主体Si nFET一样，GaN器件在随后的doner Si层转移和nFET / pFET器件制造中具有很大的耐受性。
下面显示了（长沟道）GaN增强模式和耗尽型nFET器件的典型Ids对Vg曲线，以及在doner层中制造的Si nFET和Si pFET器件的特性。
FinFET器件在摩尔定律中的下一个发展将是GAA拓扑。3D单片集成确实可以促进继续摩尔定律的机会，将用于SO硅片制造的键合层转移技术扩展到更广泛的半导体材料，例如Ge和GaN。这将有助于减轻与引入“Beyond CMOS”材料工艺相关的风险。
对于从高性能计算到高频RF信号处理的各种应用，跟踪各种类型的设备的垂直堆叠的进展和创新将非常有趣。
学术界成员在ASMC上的一则评论引起了我的注意。他说：“我发现学生对追求微电子学作为研究领域的兴趣正在减弱。他们听到“摩尔定律已死”，并得出结论认为这一领域已经停滞了。”
坦率地说，我想不起来比现在有更多的机会在设备研究，处理技术和电路/系统应用程序开发方面取得重大进展。如果您是阅读本文的学生，请意识到延续摩尔定律过程中，有许多激动人心的经历。
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