中国有望在 NAND Flash 大进击？长江存储与美光正就技术授权协商

半导体行业观察中国内存发展来势汹汹，紫光集团与武汉新芯合体的长江存储将与美国存储大厂美光（Micron）合作的传闻不断，现在真的迎来突破性发展？

日本媒体日经新闻 17 日报导，长江存储副董事长、大基金总经理丁文武接受采访时指出，正就 NAND Flash 新技术与美光展开协商，且不排除 2017 年双方合作能够确立，对此事丁文武拒绝再谈，但其也强调，长江存储同样与日本东芝等 NAND Flash 大厂洽谈合作，中国半导体产业相关官员透露，长江存储与美光协商的优先顺序还是高于其他厂商。

全球存储市场几乎由三家独霸，除了三星、SK 海力士就是美光，美光手握 DRAM 与 NAND Flash 技术，而长江存储的布局同样是 DRAM、NAND Flash 两路并进，但为何双方仅就 NAND Flash 展开谈判，熟稔两家厂商的资深业内人士分析，DRAM 市场在过往价格血战后，形成寡占市场由这存储三雄独霸，厂商皆严控产能试图维持价格优势。而 NAND Flash 在 SSD 等应用带动下其实发展仍可期，加上 3D NAND Flash 技术渐起，除了美光/英特尔阵营，三星、SK 海力士、东芝/WD 等厂商也在积极建厂扩产，透过跟长江存储合作，对美光在 NAND Flash 市占的拓展是有利的。

而在紫光与武汉新芯合体组成长江存储之前，武汉新芯的存储基地在今年 3 月举移动土仪式，该基地五年投资额高达 240 亿美元，初步将先行建造 Flash 厂，生产武汉新芯本业 NOR 型 Flash，并逐步生产 NAND Flash，武汉新芯当时已与飞索半导体（Spansion）签订技术授权合约，共同开发生产 3D NAND Flash，并预计 2017 年量产 32 层以上堆叠产品，外界推测，现在长江存储与美光谈技术合作，应也是锁定新技术 3D NAND Flash，在子公司武汉新芯与 Spansion 合作之余，母公司长江存储积极寻求其他 NAND Flash 技术合作颇耐人寻味。

据长江存储、紫光集团董事长赵伟国近日透露，武汉新芯内存基地将于今年 12 月正式动工，预计 2018 年建设完成，月产能约 20 万片，2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。

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