台积电 7 纳米传 2017 年 4 月可接单
台积电 7 纳米晶圆制程进度飞快,继先前传出要在 2018 年第一季放量生产 7 纳米芯片,比英特尔(Intel Corp.)足足快 3 年之后,最新消息显示,台积电内部预估,7 纳米最快明(2017)年 4 月就可开始接受客户下单。
WCCFtech 25 日报导,台积电研发单位已在内部会议中,揭露未来几年的最新研发蓝图,根据几名资深高层的说法,该公司今年底就会转换至 10 纳米,7 纳米则会在明年试产,估计明年 4 月就可接单,而 16 纳米 FinFET compact 制程(FFC,比 16FF+ 更精密)也将在今年导入。7 纳米制程可大幅提升省电效能(时脉约 3.8Ghz、核心电压(vcore)达 1V),临界电压(threshold voltage)最低可达 0.4V,适用温度约为 150 度。
报导称,跟 16FF+ 相较,10 纳米 FinFET 制程可让芯片尺寸缩小 50%、运算效能拉高 50%、耗电量降低 40%。相较之下,7 纳米(采的应该是FinFET制程)的运算效能只能拉高 15%、耗电量降低 35%,电晶体密度增加 163%,改善幅度远不如 10 纳米。这是因为,台积电的 10 纳米 FinFET 制程大约等同英特尔的 14 纳米,7 纳米制程则大致跟英特尔的 10 纳米相当、甚至较逊。
AMD 早已暗示会从 16 纳米制程直接跳至 7 纳米,但晶圆代工合作伙伴格罗方德(GlobalFoundries)的 7 纳米却要等到 2018 年才会试产,比台积电晚了近一年之久。AMD早已修改了协议,合作伙伴不再仅限于格罗方德,假如台积电的制程远优,那么AMD完全有可能倒戈投向台积电的怀抱。
(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:《科技新报》摄)
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