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内存 Q4 需求旺，三星、SK 海力士有望受惠

2016-10-18 15:17:00 来源: 互联网

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笔电用内存需求动能强劲，甚至于 NAND 闪存已呈现缺货，让业界看好第四季 DRAM 与 NAND 闪存报价将大幅走扬，韩国三星与 SK 海力士有望受惠。

市调机构 DRAMeXchange 指出，个人电脑用 DRAM 合约价 9 月报 14.5 美元，上涨 7.4 个百分点，且拜全球笔电需求超出预期所赐，DRAMeXchange 看好 DRAM 第四季报价将冲到两年新高。（koreaherald.com）

NAND 闪存在此同时已有供给不足的状况，据 DRAMeXchange 预测，第四季嵌入式多晶片封装（eMCP）产品价格将上扬 10-15%。eMCP 可将 NAND 内存与其他芯片做整合。

据传，三星发展 64 层 NAND 闪存今年底将进入量产，其位在首尔南方 70 公里处的平泽厂（Pyeongtaek）已接近完工阶段，将成为扩充 NAND 闪存产能的即战力。另外，海力士也正积极扩充 NAND 产能，其股价 6 日早盘一度来到 2015 年 7 月以来新高。

（本文由 MoneyDJ新闻授权转载）