2017 年内存迎好年，预估成长 10%、产值刷新高
半导体行业观察苦了好久的内存产业终于在今年下半转佳，且明年有望再持续成长！今年下半市场需求回升，但上游厂商产能扩张有限，面临供货吃紧状况。使得 2016 年下半开始，无论 DRAM、NAND Flash 价格都节节上升，而这样的态势可能还会维持到 2017，调研机构 IC insights 预估，明年整体内存市场还能有 10% 的成长。
调研机构 IC insights 20 日发布最新报告指出，在两年衰退之后，内存市场明年将迎来好年，受惠于 DRAM、NAND Flash 平均销售价格（ASP）上扬，而能有 10% 的成长。
报告指出，2015 年 PC 市场大衰退、存货激增、新兴应用无法带来爆发性的成长，内存市场黯淡，整体而言也衰退了 3%，2016 年上半，内存市场同样维持衰弱的态势，即便 2016 年下半市况好转，2016 全年整体内存市场估计仍年衰退 1%，总产值约 773 亿美元，
内存 ASP 在 2015 年跌了 3%，在 2016 年又跌了 10%，不过，IC insights 估计，2017 年 DRAM ASP 能有 11% 的增长，而 NAND Flash 是今年唯一成长的内存类别，明年也有望有 10% 的成长。
总体而言，明年内存 IC 产业有 10% 的成长，产值来到 853 亿美元刷新历史新高纪录，且未来将逐年成长，2020 年能突破 1,000 亿大关、2021 年达到 1,100 亿美元。2016~2021 年内存市场年复合成长率约在 7.3%。
- Total Memory Market Forecast to Increase 10% in 2017
延伸阅读：
- 2017 年 DRAM 供给位成长小于 20%，价格将持续攀高
- 11 月 DRAM 合约价续涨，4GB 模组均价站上 18 美元大关
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