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美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产

2016-12-16 14:05:00 来源: 互联网

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半导体行业观察本周宣布正式合并中国台湾地区台塑旗下存储厂华亚科的美商存储大厂美光（Micron）在 15 日表示，由于该公司的 3D NAND 闪存产能日前正式超过 2D NAND 闪存。其中，包括第 1 代 3D NAND 闪存的成本也符合预期，堆叠层数达到 64 层的第 2 代 3D NAND 闪存也在已经准备完成，预计将在 2016 年底要正式大规模量产。

根据外媒报导，美光公司财务长 Ernie Maddock 在 15 日参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上表示，该公司的 3D NAND 闪存产能与 2D NAND 闪存产能已经来到交叉点上。也就是说，3D NAND 闪存的产能，以容量计算，将要超过 2D NAND 闪存。

此外，Ernie Maddock 还表示，美光的第 1 代 3D NAND 闪存在降低生产成本上已经达到预期目标。由于，美光在 2016 年上半年的发展路线上曾指出，未来预计 3D NAND 闪存的成本，将要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今，已经实现降低 20% 到 25% 的成本。这样的情况，对于未来将开始在新加坡 Fab 10X 晶圆厂大规模量产来说，有着其正面的帮助。

目前市场上许多固态硬盘（SSD）都已经转向 3D NAND 闪存。因为，不论是性能，还是容量，或者是使用寿命，3D NAND 闪存都要比传统 2D NAND 闪存好得多。而且，厂商也会借此来降低生产成本，以提高产量。就美光为例，其所生产的 2D NAND 闪存，主力是 16 纳米制程的产品，MLC/TLC 闪存的核心容量不过 128Gb。但是，借由 3D NAND 技术的 MLC 闪存核心容量就有 256Gb，TLC 更是达到 384Gb，大大优于 2D NAND 闪存。

事实上，在转向 3D NAND 生产方面，实力最强的仍以韩国三星领先，东芝（Toshiba）/ Sandisk 与 SK 海力士其次，英特尔（Intel）和美光的动作算是比较慢的了。不过，一旦 3D NAND 闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过 2D NAND 闪存将是迟早的事。

（首图来源：Micron 官网）

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责任编辑：mooreelite

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