三星FD-SOI技术，为物联网和MCU助力赋能
2024-10-23
14:31:01
来源: 李晨光
点击
今年3月， 意法半导体宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺，该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM），意味着三星在FD-SOI工艺上面再进一步。
实际上，早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品。如今18nm FD-SOI工艺的推出，大幅提升了性能参数，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。
10月23日，在第九届上海FD-SOI论坛上，三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha Park带来了《FD-SOI的合作与新突破》的主题分享，介绍了三星18FDS的性能特点和技术优势。
三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha Park
Jinha Park表示，三星多年来一直都在打磨自己的18FDS工艺，包括曾于2019年和Arm建成了当时业界第一个综合物理IP平台，包括一个位于18FDS (18nm FDSOI)的eMRAM编译器。
在演讲中，Jinha Park强调了三星18FDS的四大核心优势：
1）三星18FDS工艺能够提供很多创新的特征性能，比如基于三星18FDS工艺原生支持3.3V，可以让外部设备使用更高的3.3V进行传输，相较于1.8V传输有着更高的传输速度和效率。
2）三星18FDS工艺提供混合STD（LVT/RVT/HVT），当前先进工艺都会提供不同的cell library，分为：LVT、RVT、HVT等，让设计人员可以通过改变器件工艺角的方式来修复set up/hold violation等问题。三星18FDS工艺的这一特征能够帮助设计人员在不影响性能的情况下进一步优化芯片的功耗。
3）三星18FDS工艺提供PPA（功率、性能和面积/成本）分析功能。PPA的优化一直是芯片设计的核心目标。然而，随着技术的不断进步和复杂系统的兴起，这些传统指标的相关性正逐渐减弱。也就是说，在当前的芯片设计工程中，PPA优化更具挑战性，三星18FDS工艺平台提供的分析功能可以帮助设计人员。
4）三星18FDS工艺凭借Low Leakage SRAM，具备低功耗优势。
演讲最后，Jinha Park强调，当前FD-SOI工艺已经成为自动驾驶、消费电子、通讯、机器人、工业和计算等领域的优质选择。三星18FDS工艺能够提供原生3.3V和低泄漏电流等核心功能，将会成为物联网和MCU领域的重要平台节点。
实际上，早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品。如今18nm FD-SOI工艺的推出，大幅提升了性能参数，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。
10月23日，在第九届上海FD-SOI论坛上，三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha Park带来了《FD-SOI的合作与新突破》的主题分享，介绍了三星18FDS的性能特点和技术优势。
三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha ParkJinha Park表示，三星多年来一直都在打磨自己的18FDS工艺，包括曾于2019年和Arm建成了当时业界第一个综合物理IP平台，包括一个位于18FDS (18nm FDSOI)的eMRAM编译器。
在演讲中，Jinha Park强调了三星18FDS的四大核心优势：
1）三星18FDS工艺能够提供很多创新的特征性能，比如基于三星18FDS工艺原生支持3.3V，可以让外部设备使用更高的3.3V进行传输，相较于1.8V传输有着更高的传输速度和效率。
2）三星18FDS工艺提供混合STD（LVT/RVT/HVT），当前先进工艺都会提供不同的cell library，分为：LVT、RVT、HVT等，让设计人员可以通过改变器件工艺角的方式来修复set up/hold violation等问题。三星18FDS工艺的这一特征能够帮助设计人员在不影响性能的情况下进一步优化芯片的功耗。
3）三星18FDS工艺提供PPA（功率、性能和面积/成本）分析功能。PPA的优化一直是芯片设计的核心目标。然而，随着技术的不断进步和复杂系统的兴起，这些传统指标的相关性正逐渐减弱。也就是说，在当前的芯片设计工程中，PPA优化更具挑战性，三星18FDS工艺平台提供的分析功能可以帮助设计人员。
4）三星18FDS工艺凭借Low Leakage SRAM，具备低功耗优势。
演讲最后，Jinha Park强调，当前FD-SOI工艺已经成为自动驾驶、消费电子、通讯、机器人、工业和计算等领域的优质选择。三星18FDS工艺能够提供原生3.3V和低泄漏电流等核心功能，将会成为物联网和MCU领域的重要平台节点。
责任编辑：sophie
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