IBS首席执行官：AI时代， FD-SOI技术为何如此重要？

10月23日，由芯原股份（VeriSilicon）、新傲科技（Simgui）、新傲芯翼（Simwings）主办，SEMI中国（SEMI China）、SOI国际产业联盟SOI Industry Consortium协办的第九届上海FD-SOI论坛在上海隆重召开。

在本次活动现场，汇聚了来自全球领先的IDM、设计公司、代工厂、系统厂商和半导体产业链参与者，包括行业专家、学者、企业高管和工程师齐聚一堂，共同探讨了FD-SOI工艺的技术优势和发展趋势，以及FD-SOI的设计实现等议题，并分享了他们的深刻见解和丰富经验。

IBS首席执行官Handel Jones带来了《人工智能的影响，以及为何FD-SOI技术如此重要》的主题演讲。

IBS首席执行官Handel Jones

Handel Jones表示，AI正在成为半导体领域未来十年增长的重要推手，数据中心的AI加速器正在快速发展，2030年数据中心 AI加速器的收入预计将达到1328 亿美元，而2020年还仅为57亿美元。

在此趋势下，在面向边缘加速器的开发中，低功率和高吞吐量成为关键需求，无线连接也很重要。目前正在开发低功耗的批量CMOS和FinFET。对此，FD-SOI是更好的选择。

Handel Jones表示，半导体市场增长是积极的信号，预计2030年半导体市场将达到1.3万亿美元。



其中，人工智能功能将被嵌入大多数半导体产品中，70.8%的半导体产品将在2030年嵌入生成式人工智能功能。




Jones表示，随着AI的发展、半导体工艺越来越先进，设计费用越来越高昂，需要的人力开发和其他支援也会越来越多，会有大量玩家放弃高端工艺制程。相对于FinFET工艺，平面工艺拥有更长的生命周期，因此投入产出比相对合适。

Handel Jones认为，22nm FD-SOI的成本将和28nm HKMG成本相近，而工艺继续向下的话，FD-SOI的成本将显著低于FinFET。比如，16nm FinFET芯片的成本比18nm FD-SOl芯片高20%；7nm FinFET芯片的成本比12nm FD-SOl芯片高24%。

与此同时，12nm FD-SOl的功耗比7nm FinFET低12%至16%；此外，12nm FD-SOl的射频连接性能优于7nm FinFET。因此，对于大多数应用，12nm FD-SOI的PPC优于7nm FinFET。

为了推动AI更好的发展，在≥12nm和≤28nm这个工艺区间，FD-SOI是更好的选择。

同时，因为边缘端的AI需要更低的功耗，FD-SOI有着更好的潜力来支持AI类产品，。

Handel Jones指出，由于其工艺流程上的优势，如更少层的掩膜步骤，该工艺能带来更低的芯片制造成本。再加上芯原在中国能够提供很好的FD SOI的技术支持，芯片的设计工具总体的性能表现非常突出，产品甚至还超额满足到了客户的性能指标。

在主题分享中，Handel Jones提到的另一个典型市场是智能手机和可穿戴设备市场，智能手机是汇集可穿戴设备信息的枢纽。在下一代设备开发的过程中，更出色的传感器是获得竞争力的关键，其中图像传感器（ISP）可用于数字健康、智能交通和机器人等应用，而FD-SOI是打造领先图像传感器的理想工艺。

ISP是FD-SOI一个显著增长的市场，因为FD-SOI拥有更好的ADC模拟特性、低功耗以及低成本，随着汽车、智能手机、AR及安防市场不断增加。有数据预计，2027年ISP出货量将达196亿颗。

演讲最后，Handel Jones强调，中国市场的增长仍将会是巨大的，目前在5G、物联网、无人驾驶等领域已经从市场的跟随者变成了领军者。尤其是随着FD-SOI技术越来越商业化，中国已经存在了在FD-SOI上大放异彩的机会和基础。