东芝推出全新小型表面贴装LDO稳压器系列
2019-03-21
11:11:29
来源: 互联网
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中国 上海,2019年3月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款全新系列的小型表面贴装LDO稳压器---TCR5BM系列和TCR8BM系列,用于移动设备、影像和音视频产品的电源供电应用。TCR5BM系列包含40个型号,支持低至100mV的压差和最大500mA的输出电流;TCR8BM系列同样包含40个型号,支持低至170mV的压差和最大800mA的输出电流。TCR5BM系列和TCR8BM系列均可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT。
两款系列均适用于移动设备、影像和音视频设备中的MCU、RF器件、摄像头CMOS传感器的电源应用。这些设备逐渐普及1V左右较低电压的使用。
新产品已于2019年1月开始量产,今天开始发货。
通过使用最新一代工艺制造的低导通电阻N沟道MOSFET和外部偏置电压,两系列都能把造成功耗的压差降低到东芝目前产品[1]的67%左右,达到行业最低水平[2]。
此外,新产品具有98dB(典型值)的纹波抑制比,能稳定抑制来自外部环境和DC-DC转换器的高频噪声,避免故障发生。它们还可提供快速负载瞬态响应,以避免由于IC工作模式的迅速切换引起的故障。
新LDO稳压器系列的静态电流比市场上的其它高电流LDO稳压器约低50%[2],可降低设备的功耗,并延长电池供电设备的工作时间。
两系列均采用小型表面贴装的1.2mm×1.2mm DFN5B[3]封装,非常适合空间受限的设计。TCR5BM系列最大支持500mA电流,TCR8BM系列最大支持800mA电流,可以让用户更轻松地设计产品。
应用:
移动设备、影像和音视频设备
CMOS传感器电源
MCU电源
RF电源
特性:
低压差:
VDO=100 mV(典型值) (TCR5BM系列)
VDO=170 mV(典型值) (TCR8BM系列)
高纹波抑制比:R.R.=98 dB (典型值)
快速负载响应特性,可确保工作模式变化时稳定工作
主要规格:
产品阵容:
标注星号的产品型号内置欠压锁定功能。
注释:
[1]与东芝当前的TCR5AM系列比较。
[2]截至2019年3月20日,东芝调查。
[3]DFN5B封装:1.2mm×1.2mm(典型值)。
关于这两个系列新产品的更多信息,请访问:TRC5BM系列、TCR8BM系列。
关于东芝电子(中国)有限公司
东芝电子(中国)有限公司主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中半导体事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。
更多信息请访问:https://toshiba-semicon-storage.com
媒体联系:
两款系列均适用于移动设备、影像和音视频设备中的MCU、RF器件、摄像头CMOS传感器的电源应用。这些设备逐渐普及1V左右较低电压的使用。
新产品已于2019年1月开始量产,今天开始发货。
通过使用最新一代工艺制造的低导通电阻N沟道MOSFET和外部偏置电压,两系列都能把造成功耗的压差降低到东芝目前产品[1]的67%左右,达到行业最低水平[2]。
此外,新产品具有98dB(典型值)的纹波抑制比,能稳定抑制来自外部环境和DC-DC转换器的高频噪声,避免故障发生。它们还可提供快速负载瞬态响应,以避免由于IC工作模式的迅速切换引起的故障。
新LDO稳压器系列的静态电流比市场上的其它高电流LDO稳压器约低50%[2],可降低设备的功耗,并延长电池供电设备的工作时间。
两系列均采用小型表面贴装的1.2mm×1.2mm DFN5B[3]封装,非常适合空间受限的设计。TCR5BM系列最大支持500mA电流,TCR8BM系列最大支持800mA电流,可以让用户更轻松地设计产品。
应用:
移动设备、影像和音视频设备
CMOS传感器电源
MCU电源
RF电源
特性:
低压差:
VDO=100 mV(典型值) (TCR5BM系列)
VDO=170 mV(典型值) (TCR8BM系列)
高纹波抑制比:R.R.=98 dB (典型值)
快速负载响应特性,可确保工作模式变化时稳定工作
主要规格:
产品型号 | 封装 | 输出 电压 范围 |
电气特性(@Tj=25 ℃) | ||||
名称 | 尺寸 典型值 (mm2) |
静态 电流 IBIAS(ON) 典型值 (μA) |
压差 VDO典型值 |
纹波 抑制比 R.R. 典型值 (dB) |
|||
(mV) | @IOUT (mA) |
||||||
TCR5BM系列 | DFN5B | 1.2×1.2 | 0.8至3.6 V 和36V |
19 | 100 | 500 | 98 |
TCR8BM系列 | 0.8至3.6 V 和36V |
20 | 170 | 800 | 98 | ||
库存查询和购买 | TCR5BM系列 在线购买 TCR8BM系列 在线购买 |
编号 | 输出 电压 VOUT 典型值 (V) |
产品型号 | 编号 | 输出 电压 VOUT 典型值 (V) |
产品型号 | ||
TCR5BM系列 | TCR8BM系列 | TCR5BM系列 | TCR8BM系列 | ||||
1 | 0.8 | TCR5BM08A* | TCR8BM08A* | 21 | 1.9 | TCR5BM19A* | TCR8BM19A* |
2 | 0.85 | TCR5BM085A* | TCR8BM085A* | 22 | 2.0 | TCR5BM20A* | TCR8BM20A* |
3 | 0.9 | TCR5BM09A* | TCR8BM09A* | 23 | 2.1 | TCR5BM21A* | TCR8BM21A* |
4 | 0.95 | TCR5BM095A* | TCR8BM095A* | 24 | 2.2 | TCR5BM22A* | TCR8BM22A* |
5 | 1.0 | TCR5BM10 | TCR8BM10 | 25 | 2.3 | TCR5BM23A* | TCR8BM23A* |
6 | 1.0 | TCR5BM10A* | TCR8BM10A* | 26 | 2.4 | TCR5BM24A* | TCR8BM24A* |
7 | 1.05 | TCR5BM105 | TCR8BM105 | 27 | 2.5 | TCR5BM25A* | TCR8BM25A* |
8 | 1.05 | TCR5BM105A* | TCR8BM105A* | 28 | 2.6 | TCR5BM26A* | TCR8BM26A* |
9 | 1.1 | TCR5BM11 | TCR8BM11 | 29 | 2.7 | TCR5BM27A* | TCR8BM27A* |
10 | 1.1 | TCR5BM11A* | TCR8BM11A* | 30 | 2.8 | TCR5BM28A* | TCR8BM28A* |
11 | 1.15 | TCR5BM115A* | TCR8BM115A* | 31 | 2.85 | TCR5BM285A* | TCR8BM285A* |
12 | 1.2 | TCR5BM12 | TCR8BM12 | 32 | 2.9 | TCR5BM29A* | TCR8BM29A* |
13 | 1.2 | TCR5BM12A* | TCR8BM12A* | 33 | 2.95 | TCR5BM295A* | TCR8BM295A* |
14 | 1.25 | TCR5BM125A* | TCR8BM125A* | 34 | 3.0 | TCR5BM30A* | TCR8BM30A* |
15 | 1.3 | TCR5BM13A* | TCR8BM13A* | 35 | 3.1 | TCR5BM31A* | TCR8BM31A* |
16 | 1.4 | TCR5BM14A* | TCR8BM14A* | 36 | 3.2 | TCR5BM32A* | TCR8BM32A* |
17 | 1.5 | TCR5BM15A* | TCR8BM15A* | 37 | 3.3 | TCR5BM33A* | TCR8BM33A* |
18 | 1.6 | TCR5BM16A* | TCR8BM16A* | 38 | 3.4 | TCR5BM34A* | TCR8BM34A* |
19 | 1.7 | TCR5BM17A* | TCR8BM17A* | 39 | 3.5 | TCR5BM35A* | TCR8BM35A* |
20 | 1.8 | TCR5BM18A* | TCR8BM18A* | 40 | 3.6 | TCR5BM36A* | TCR8BM36A* |
注释:
[1]与东芝当前的TCR5AM系列比较。
[2]截至2019年3月20日,东芝调查。
[3]DFN5B封装:1.2mm×1.2mm(典型值)。
关于这两个系列新产品的更多信息,请访问:TRC5BM系列、TCR8BM系列。
关于东芝电子(中国)有限公司
东芝电子(中国)有限公司主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中半导体事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。
更多信息请访问:https://toshiba-semicon-storage.com
媒体联系:
汤文 | 乔治 |
东芝电子(中国)有限公司市场沟通科 | GeoMatrix Public Relations Ltd. |
86-21-6139 3888 | 86-10-5207 8016 |
wen.tang@toshiba.co.jp | george.qiao@geomatrixpr.com |
责任编辑:sophie
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