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SK海力士：2017年带来72层3D NAND Flash

2017-02-04 10:19:00 来源: 互联网

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SK Hynix 从2015 年底开始使用21nm 制程生产DRAM，而目前这个制程已经在主流产品、行动装置用产品以及特规的DRAM 上导入。

日前，这家韩系品牌介绍了其2017年规划，他们表示将会在2017 年量产10nm class 制程的DRAM。

一般相信，SK Hynix 的10nm class 泛指18nm 制程。据韩媒ET News报导，14日业界消息指出，SK海力士以Alius作为计画名称的1x纳米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产，正进行最后的可靠度检测，预定2017年第2季由M14新厂正式量产。

业界表示，SK海力士与三星在2z纳米DRAM的技术差距约有1年半;三星已在2016年第1季启动1x纳米DRAM量产，若SK海力士能依照进度在2017年第2季量产1x纳米DRAM，技术差距可缩小为1年3个月。

SK海力士以Davinci及Rigel分别作为1y与1z纳米DRAM的研发代号，加速追赶三星，并扩大与美光(Micron)的差距。据闻美光目前尚未进入2z产品量产。

SK海力士对开发10纳米等级DRAM技术的期望反映在研发代号上，首先是1x纳米研发代号Alius。 Alius在拉丁文中代表新世界，如同DRAM技术由20纳米跨入10纳米级，必须在存储结构上有所创新，突破技术瓶颈，才能解决漏电、增加电荷储存容量等问题。

至于1y纳米代号Davinci则是文艺复兴时代的代表性人物达文西，SK海力士期许自身能像达文西一般，能成为主导技术的先河;1z纳米代号Rigel则是猎户座中最亮的恒星， SK海力士期盼将来研发出的1z纳米技术可成为最受注目的焦点。

业界表示，SK海力士成功建立1x纳米DRAM的量产体系之后，两大韩厂可望与美国的技术差距拉开到1~2年。

目前存储价格持续攀升，对于存储颗粒厂来说，是一件相当好的事情。面对这样的情况，SK Hynix 并没有增产计划，并对2017 年存储相关支出采取保守的态度。其他品牌或许也如此，这也意味着在2017 年的存储价格将持续攀高，然而这产业就如同期货般，没人说得准。

NAND Flash 也是另一个需求持续提升的产品。

SK Hynix 目前已经生产48 层的3D NAND Flash（3D-V3），而进入2017 年，我们可以见到SK Hynix 进入72 层的3D TLC NAND Flash（3D-V4）。同时，也可以确认SK Hynix 将会在2017 第二季度量产256Gb 的3D TLC NAND Flash。

另外，SK Hynix 也计划在2017 年底推进至512Gb（64GB）的3D TLC NAND Flash。

相较于存储的保守，SK Hynix 在NAND Flash 则是投入不少资源。

SK Hynix 在M14 厂房的第二层将开始量产NAND Flash，但什么产品会在这里进行，官方并没有给予明确答案。不过，一切顺利的话，SK Hynix 整体产能将会伴随着M14 厂商而获得显著改善。此外，SK Hynix 预计耗资7.9 亿美元以及2 年时间来扩充无锡C2 厂房的无尘室（无锡C2 产房主要生产DRAM）。虽然这有助于提升SK Hynix 存储颗粒产能，但整体工程需要到2019 年才会完成，因此… 可别期待价格会有任何降幅。