稳居全球OSAT榜首,江阴长电先进WLCSP月出货量突破6亿只
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近日,受惠于智能手机市场的持续强劲,江阴长电先进2016年12月份WLCSP产出突破6亿只大关,稳居全球OSAT榜首位置。其实据Yole和TechSearch两家知名国际调研公司的数据,早在2015年长电先进的年出货量已经位居全球OSAT前列。此次月出货量突破6亿只大关,是公司强化在WLCSP封装领域领先地位的具体体现,是规模化战略方向具有程碑意义的一步。
与传统封装技术理念不同,WLCSP封装技术是一种以晶圆为加工单位的中道封装技术,所有封装工艺过程均在晶圆上进行,而且需要利用到与晶圆制造工艺相似的先进光刻工艺,完成封装工艺的晶圆最终通过测试之后才被切割成单个封装体,其封装面积与芯片面积大小完全一样。
这种封装技术具有封装尺寸小、功耗低、成本低的优势,是电子产品小型化方向发展的理想封装方式。长电先进于2005年开始提供WLCSP封装产品,准确把握住了手机市场的脉搏,不断需求技术上创新和突破,随手机通讯市场的快速发展不断壮大。无论是在摩托罗拉、诺基亚为主流的功能机时代,还是今天群雄争霸的智能手机时代,长电先进始终是全球主流集成电路设计公司和知名手机品牌WLCSP封装产品的主要供应商。
有理由相信,随着物联网、无人驾驶、VR及云计算等领域的兴起, WLCSP封装技术以其特有的技术优势,必然会在这些新兴领域大展拳脚,而长电先进亦将发挥其技术和规模优势,创造企业发展的新高度。
深入了解晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)
晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)是一种先进的封装技术,完成凸块后,不需要使用封装基板便可直接焊接在印刷电路板上。它是受限于晶片尺寸的单一封装。更详细描述的话,它是涵盖了再分布层(RDL),晶圆凸块(Bump),晶圆级测试(Test),研磨切割(Sawing)和卷带形式的包装(Tape and Reel),支援一条龙外包服务的解决方案。
从现行量产数量来看,WLCSP是五大先进封装技术的主力之一,由于WLCSP封装时不需封装基板,在性能/成本上有非常高性价比的优势。在封装选型时,如果尺寸大小、工艺要求、布线可行性,和I/O数量都能满足需求时,最终客户有很大机会会选择WLCSP,因为它可能是成本最低的封装形式。
应用和市场
众所周知,在晶圆级封装行业,Amkor的WLCSP适用于广泛的市场,如类比/混合信号、无线连接、汽车电子,也涵盖整合无源器件(IPD)、转码器(Codec)、功率放大器( Power Amplifier)、驱动IC(Driver),射频收发器(RF Transceivers),无线局域网网路晶片(Wireless LAN)、导航系统(GPS),和汽车雷达(Automotive Radar)。WLCSP能提供最低的成本,最小的尺寸,是性价比最高,最可靠的半导体封装类型之一。从市场的角度看,非常适合但不限于手机、平板电脑、笔记型电脑、硬碟、数位摄影机、导航设备、游戏控制器、其他可?式/远端产品和汽车的应用。
从历史上看,WLCSP已经引领在智慧手机、平板和电脑市场,以及最近的汽车和可穿戴市场。今天,在高端智慧手机中30%的封装是WLCSP。根据Yole 资料,WLCSP市场规模预计将从2014年的$3B美元增长到2020年的$4.5B美元,图中显示年复合增长率为8%(图1)。该市场估算已包括晶圆级,晶片级和测试等项目。此外,WLCSP制造,还是以外包封装测试服务供应商(OSAT)为主。根据Yole资料显示,排名前十的厂商中有八家来自于OSAT;其余一家是IDM(TI);另一家是晶圆制造厂商(TSMC)。
图1 : WLCSP services, including wafer level, die level and test services accounted for almost $3B in 2014 and are estimated to reach ~$4.5B by 2020 with a CAGR of 8% (Source: Yole)
不断创新
不断创新,是驱使封装成功和降低成本的重要关键。即便WLCSP已经占有相当市场并持续成长,在许多方面仍有进步的空间,其中一个很好的例子是晶片侧边保护的优化。一般WLCSP没有塑封,对晶片侧边保护较弱,对此,Amkor已经开发出一种强化的保护方法。使用这种方法,Amkor在晶片表面和切割道边缘注入塑封胶成型,然后将晶片切割,从而创造出五边,或六边有塑封的加强型WLCSP(图2a和2b)。Amkor具备这种强化保护的制程能力,已获得重要客户采用这种加强型的WLCSP封装。
图2a : 5-sided molded WLP (CSPnl)
图2b : Top-down view of 5S molded WLP (CSPnl)
这种保护变得更加关键,因为晶片制程节点在越过16/14纳米至10纳米甚至5纳米,由于介电材质(ELK)易碎性和较小的凸点间距等,将加剧侧壁损伤的潜在风险。
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