IGBT“抢货”氛围持续，陆芯驶上国产替代快车道

尽管当前全球半导体产业处于下行周期，总体市场氛围需求不振，但依然存在IGBT等少数供不应求的领域。消息称，英飞凌、意法半导体国外大厂IGBT交期均在50周以上，产能紧张或将持续至2025年。而这也为国产IGBT的发展提供了良机。上海陆芯电子科技有限公司于6月16日举办了“2023陆芯新品发布&功率半导体行业分享会”，邀请功率半导体产业链同仁共同讨论新一代功率半导体的技术革命和创新发展。随着IGBT市场的不断扩大以及国产IGBT企业技术上取得突破，我国IGBT正在驶上发展的快车道。
 
 
IGBT持续供不应求，为国产IGBT发展提供良机
 
全球范围内的产能紧张为国产IGBT发展提供了良机。陆芯作为专业从事最新一代功率半导体研发、生产和销售的高新技术企业，2021年即发布了IGBT微沟槽Fine-Pitch系列、Hybrid系列在内的多款产品，取得良好的市场口碑。本次活动现场，陆芯再次推出系列新品，包括陆芯Gen2和Gen3工艺平台下的IGBT产品，相比第一代产品性能上得到进一步提升；陆芯业内领先的基于12英寸晶圆生产线的Gen2 IGBT产品，该产品已经成功定型量产；通过AEC-Q101认证的车规级IGBT单管级产品，含AU40N120T3等系列产品。
 
此次陆芯推出的产品从性能到稳定性，都得到进一步提升，比如针对特定应用场景的T3系列。该产品为1200V短路增强型IGBT，进行了特别的设计和工艺调教，适用于电机驱动/工业变频等中低频、对短路有更高要求的应用领域，可满足用户的更高要求。
 
得益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各领域的利好，国产替代将会是IGBT行业未来一段时期发展的主旋律之一。
 
技术不断演进，国产性能不弱于国际龙头
 
根据陆芯科技首席科学家林青博士的介绍，陆芯的产品技术从Gen1一直延伸到Gen4。Gen1、Gen2、Gen3技术都已经有产品实现大规模量产，同时陆芯在积极研发Gen4技术。据了解，自陆芯2017年成立以来，一直致力于完整的IGBT技术开发平台打造，产品采用自主创新的最新一代沟槽栅场截止IGBT平台设计与工艺，已具备比肩国际一线品牌的高性能与高可靠性。
 
在技术方面，陆芯的技术团队拥有多年美国一流功率半导体公司的IGBT研发经验，所开发的IGBT产品与Infineon最新的第7代微沟槽TrenchFS技术相当。陆芯目前还控股一条IGBT模块封装线，具备年产120万只工业级模块的能力，可封装各种类型的IGBT模块。专利方面，截至2023年2月，陆芯共计申请知识产权70项，获得授权专利50项，另有多项技术创新陆续申请专利。
 
陆芯科技总经理张杰博士介绍了陆芯在产品技术上的“专精特新”四大特点。“专”是指陆芯专注于IGBT领域，拥有专业的技术积累和专注的产品开发路线；“精”是指陆芯的精品策略，精益求精地打磨产品，根据应用需求精心调教各种产品参数；“特”是指有陆芯的产品特色，之前650V和1200V单管IGBT作为陆芯的主打产品，最近又增加了多种类型的IGBT模块，包括工业、电源以及车用等不同类型；“新”是指创新，在产品迭代中，陆芯不断创新，使产品的性能与可靠性越来越高。
 
陆芯科技在会议中探讨了未来还将不断开发IGBT 新一代产品及MOSFET，并逐步按计划推向市场，同时加大对新能源汽车电子、储能、光伏、逆变、UPS及变频器等领域的推广力度，持续提升公司品牌价值和影响力。
 
车规与光伏两个黄金赛道，国产替代进行时
 
IGBT的应用范围非常广泛，涉及轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等，但光伏逆变器和新能源汽车当前IGBT最受瞩目的两大下游领域，也是陆芯重点布局的两个市场。
 
 
谈到新能源汽车市场，很多人都会想到碳化硅器件，对硅基器件的替代。但张杰表示，受限于SiC衬底复杂的生产过程与低良率，导致价格较高、产量不足，同时碳化硅长期的可靠性还没有得到充分的验证，因此在相对较长的一段时期内，碳化硅器件依然无法替代IGBT。陆芯开发的Hybrid IGBT在与碳化硅器件性能接近的情况下可以提供更有价格竞争力的品牌解决方案。而且陆芯也在将SiC产品及模块业务纳入发展规划。张杰表示，陆芯在碳化硅上的布局主要是从碳化硅与IGBT的结合上切入，实现了高频硅器件与碳化硅二极管的结合。相关产品已在新能源汽车的车载充电机OBC行业批量交付。同时透露，陆芯也在进行SiC-MOSFET相关产品的开发。

  
本次活动上，陆芯不仅展示了最新产品与技术成果，也显示出蓬勃的发展潜力。经过这些年的持续发展，国产IGBT的性能实际上已不弱于国际大厂。随着市场的扩大与技术的演讲，中国IGBT产业链将具备更强的进口替代能力。