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三星晶圆厂将成为第一家在即将到来的3nm工艺中使用类似全栅场效应晶体管（GAAFET）结构的半导体制造商。虽然该节点尚未准备就绪，但在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星晶圆厂的工程师分享了有关即将推出的3 nm GAE MBCFET（multi-bridge channel FET）制造技术的一些细节。
据介绍，有两种类型的GAAFET：典型的GAAFET，这被称为具有“薄”鳍的纳米线。以及MBCFET，称为具有“厚”鳍的纳米片。在两种情况下，栅极材料在所有侧面上都围绕沟道区。纳米线和纳米片的实际实现方式在很大程度上取决于设计，因此，一般而言，许多行业观察家用术语GAAFET来描述两者。但是以前它们被称为环绕栅晶体管（surrounding-gate transistors ：SGT）。值得一提的是，MBCFET是 三星的 商标。
1988年，全球首次展示了GAAFET，因此该技术的关键优势众所周知。这种晶体管的结构使得设计人员可以通过调节晶体管通道的宽度（也称为有效宽度或Weff）来精确地对其进行调谐，以实现高性能或低功耗。较宽的薄片（sheets）可以在更高的功率下实现更高的性能，而较薄/较窄的薄片可以降低功耗和性能。为了对FinFET做类似的事情，工程师必须使用额外的鳍来改善性能。但是在这种情况下，晶体管沟道的“宽度”只能增加一倍或两倍，这并不是很精确，有时效率很低。另外，由于不同的晶体管可以用于不同的目的，因此通过调整GAAFET可以提高晶体管的密度。
早在2019年，三星推出的的3GAE工艺设计套件版本0.1就包括四种不同的纳米片宽度，以为早期采用者提供一定的灵活性，尽管目前尚不清楚该公司是否增加了宽度以提供额外的灵活性。但是三星表示，总的来说，与7LPP技术相比，其3GAE节点将使性能提高30％（在相同的功率和复杂度下），功耗降低50％（在相同的时钟和复杂度下），并且晶体管密度提高了80％（包括逻辑和SRAM晶体管的混合）。
三星的3GAE（其第一代MBCFET技术）将于2022年推出。虽然三星目前尚未披露其所有特性。但该公司在ISSCC上讨论了如何使用新型晶体管来提高SRAM性能和可扩展性。
近年来，SRAM的可扩展性一直落后于逻辑的可扩展性。同时，现代片上系统将SRAM的负载用于各种高速缓存，因此提高其可伸缩性是一项至关重要的任务。
据《EE Times》亚洲报道，三星代工厂在ISSCC上介绍了其256Mb MBCFET SRAM芯片，该芯片的尺寸为56mm2 。这意味着尽管该公司尚未推出其首款3GAE逻辑芯片，但显然该技术适用于SRAM。
SRAM是一个六晶体管存储单元：两个传输门（pass gates），两个上拉和两个下拉。在FinFET设计中，SRAM单元将使用具有相同沟道宽度的相同晶体管。借助MBCFET，三星可以调整沟道宽度，因此提出了两种方案：在一种情况下，三星将沟道更宽的晶体管用于传输门和下拉电路，而在另一种情况下，三星将使用具有较宽沟道的晶体管用于传输门和晶体管。
至于较窄的下拉通道。三星通过IEEE Spectrum称，通过将具有更宽沟道的晶体管用于传输门，并将具有较窄通道的晶体管用于上拉，与常规的SRAM单元相比，三星设法将写入电压降低了230 mV 。
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